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MOSFET性能改進：超級結MOSFET（SJ－MOS）
如果是D-MOS的情況，電場強度在P／N層接口處最強。當電場強度超過硅的極限時，會發生擊穿現象，這就是電壓極限。另一方面，如果是SJ-MOS的情況，電場強度在N層中是均勻的。
2021-12-08
MOSFET 超級結MOSFET
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如何以經濟實惠的方式將 EtherNet/IP、EtherCAT 和 PROFINET 添加到自動化工廠
自主工廠依賴于各個組件（如運動控制器和機器人）之間的實時通信，而且這種通信必須實時進行。例如，100 英尺外的可編程邏輯控制器 (PLC) 向機器人發送的運動命令如果出現延遲，則可能會導致最終產品出現缺陷。
2021-12-08
EtherNet/IP EtherCAT PROFINET 自動化工廠
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SiC MOSFET替代Si MOSFET,只有單電源正電壓時如何實現負壓？
現代工業對電力電子設備提出了很多要求：體積小、重量輕、功率大、發熱少。面對這些要求，Si MOSFET因Si材料自身的限制而一籌莫展。SiC MOSFET因SiC材料的先天優勢開始大顯神通。SiC MOSFET大規模商用唯一的缺點就是價格。
2021-12-07
SiC MOSFET 單電源正電壓 Si MOSFET
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一舉三得：直接用碳化硅器件，可節能、提高功率轉換效率、減少設計尺寸
更高的效率無疑是一個優勢，但是有時候“更高”的陳述是不準確的，比如：家庭電子器件散發“更高”的熱量可以減輕您的中央供暖工作在寒冷氣候中的工作量，也許會帶來能量使用和成本方面的整體好處，還可以采用效率相對低效的鍋爐。如果用“更高”來描述白熾燈，它可以在您需要溫暖時成為非常高效的加熱器。
2021-11-30
碳化硅器件
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連接SPI接口器件 - 第一部分
LEC2 Workbench系列技術博文主要關注萊迪思產品的應用開發問題。這些文章由萊迪思教育能力中心（LEC2）的FPGA設計專家撰寫。LEC2是專門針對萊迪思屢獲殊榮的低功耗FPGA和解決方案集合的全球官方培訓服務供應商。
2021-11-29
SPI接口器件
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重負載時中開關元件工作相關的注意事項
在重負載時，如果MOSFET的體二極管的反向恢復時間trr較長，且有電流殘留，則在超前臂的MOSFET關斷時，寄生雙極晶體管可能會誤導通，從而損壞MOSFET。這種問題發生在由關斷時產生的對漏源電容CDS的充電電流而使寄生雙極晶體管自發地導通（誤導通）、瞬間流過大電流時。
2021-11-29
重負載 開關元件 注意事項
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如何使用數字信號控制器構建更好的汽車和電動汽車系統
傳統的汽車和電動汽車系統都依賴于無數電子設備的有效運行，以實現便利功能以及關鍵任務功能安全功能。雖然提出了各種各樣的要求，但這些不同的應用從根本上要求能夠在極端條件下運行，同時提供可靠、高性能的實時響應。
2021-11-26
數字信號控制器 汽車系統 電動汽車系統
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高壓放大器在交變電場空間電荷測量研究中的應用
交變高壓源為試樣材料提供測試所需的高壓電場環境。高壓源有兩種實現方式，一是直接選用高壓發生設備，二是采用高壓放大器，需要信號發生器輸入一個幅值較低的控制信號，放大器將控制信號放大后輸出。在交變電場空間電荷的測量中，需要協調交變高壓和脈沖源輸出在時序上的先后關系，測量特定相位點...
2021-11-26
高壓放大器 交變電場空間 電荷測量
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總線隔離方案之儲能行業篇
眾所周知，實現“碳中和”的關鍵在于轉換能源結構，提升非化石能源的發電比例，因此新能源與儲能成為重要發展方向，ZLG致遠電子基于二十年開關電源與總線隔離技術，推出成熟的儲能電池BMS系統解決方案。
2021-11-26
總線隔離 方案 儲能
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