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直流電機(jī)驅(qū)動電路設(shè)計(jì)
本文對幾種不同的柵極驅(qū)動電路并進(jìn)行比較分析,同時也介紹了PWM調(diào)速算法及其實(shí)現(xiàn)和步進(jìn)電機(jī)的驅(qū)動方案。在直流電機(jī)驅(qū)動電路的設(shè)計(jì)中,要根據(jù)實(shí)際情況考慮若干因素來進(jìn)行仔細(xì)選擇。
2008-11-02
柵極驅(qū)動 PWM調(diào)速 循環(huán)位移
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面向汽車應(yīng)用的IGBT功率模塊淺談
由于汽車環(huán)境的復(fù)雜多變,應(yīng)用于EV和HEV的IGBT要經(jīng)受得住更多的考驗(yàn)。在功率循環(huán)、熱循環(huán)、機(jī)械振動或機(jī)械沖擊等多種試驗(yàn)中,IGBT模塊會出現(xiàn)一些典型的故障模式。廠家針對這種問題研發(fā)出了具有優(yōu)化性能和成本的功率半導(dǎo)體模塊。
2008-11-02
IGBT 故障模式 HybridPACK PrimePACK
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一種新型的IGBT短路保護(hù)電路的設(shè)計(jì)
本文提出了一種直接檢測IGBT發(fā)生短路故障的方法,在詳細(xì)分析IGBT短路檢測原理的基礎(chǔ)上給出了相應(yīng)的IGBT短路保護(hù)電路。仿真及實(shí)驗(yàn)結(jié)果均證明該電路工作穩(wěn)定可靠,能很好地對IGBT實(shí)施有效的保護(hù)。
2008-11-02
IGBT 短路保護(hù) Uce PWM H型橋式
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一種新型實(shí)用的IGBT 驅(qū)動電路
在分析了IGBT 驅(qū)動條件的基礎(chǔ)上介紹了幾種常見的 IGBT 驅(qū)動電路,并給出各自的優(yōu)缺點(diǎn)。介紹自行設(shè)計(jì)的一種簡單、實(shí)用的新型IGBT 驅(qū)動電路。經(jīng)實(shí)踐表明,該電路經(jīng)濟(jì)、實(shí)用、安全、可靠,同時具有IGBT 過電流保護(hù)功能,具有很好的應(yīng)用前景。
2008-11-02
IGBT 驅(qū)動 過電流保護(hù)
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使用柵極電阻控制IGBT的開關(guān)
柵極電阻會影響IGBT的開關(guān)時間、開關(guān)損耗及各種其他參數(shù),必須根據(jù)具體應(yīng)用的參數(shù)非常仔細(xì)地選擇和優(yōu)化。一般情況下,減小柵極電阻阻值可降低IGBT的開關(guān)損耗,但同時也必須注意快速的導(dǎo)通關(guān)斷所帶來的電壓尖峰和電磁干擾。
2008-11-02
柵極電阻 IGBT MOSFET 柵極峰值電流
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如何根據(jù)需要恰當(dāng)選擇電機(jī)
深入了解各種電機(jī)的特點(diǎn)有助于工程師對所需的應(yīng)用選擇適當(dāng)?shù)碾姍C(jī)。本文簡單介紹永磁有刷換向直流電機(jī)、無刷直流電機(jī)與混合式步進(jìn)電機(jī)的工作原理,并從若干方面對這幾種電機(jī)的特點(diǎn)進(jìn)行詳細(xì)的分析比較,以助于工程師選擇參考。
2008-11-02
永磁有刷換向直流電機(jī) 無刷直流電機(jī) 混合式步進(jìn)電機(jī)
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電動助力轉(zhuǎn)向系統(tǒng)(EPS)電機(jī)驅(qū)動電路的設(shè)計(jì)
電動助力轉(zhuǎn)向系統(tǒng)(EPS)由電動機(jī)直接提供轉(zhuǎn)向助力,只需通過改變控制器軟件的設(shè)計(jì),即可方便地調(diào)節(jié)汽車系統(tǒng)的助力特性。本文介紹了利用MC9S12系列單片機(jī)為微控制器的EPS控制系統(tǒng)電機(jī)驅(qū)動電路的設(shè)計(jì),經(jīng)試驗(yàn)該系統(tǒng)性能良好,可基本滿足電動助力系統(tǒng)轉(zhuǎn)向系統(tǒng)的需要。
2008-11-02
MOSFET EPS MC9S12 NE555
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步進(jìn)電機(jī)H橋驅(qū)動電路設(shè)計(jì)
本文設(shè)計(jì)的步進(jìn)電機(jī)H橋驅(qū)動電路,使加到電機(jī)繞組上的電流信號前后沿較陡,降低了開關(guān)損耗,改善了電機(jī)的高頻特性,同時具有多種保護(hù)功能.實(shí)驗(yàn)證明,該驅(qū)動電路簡單、可靠并具有優(yōu)良的驅(qū)動性能。
2008-11-02
H橋 功率驅(qū)動 MOSFET U14 1N4744
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MOSFET及MOSFET驅(qū)動電路總結(jié)
常用MOSFET管主要有增強(qiáng)型的N溝道MOS管和增強(qiáng)型的P溝道MOS管,兩者在導(dǎo)通的時候都會有導(dǎo)通損耗和開關(guān)損失出現(xiàn),要想辦法降低這兩種損失。在MOS管的驅(qū)動問題方面,除了要考慮導(dǎo)通電壓的問題,速度也是一個考察的方面。
2008-11-02
MOSFET NMOS PMOS 導(dǎo)通損耗 開關(guān)損失
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