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二次整流電路設計難點解析
在電源工程師歡呼有源鉗位正激轉換器(ACFC)突破50%占空比限制之際，一個被長期忽視的設計陷阱正在浮現——最小占空比(Dmin)的精細控制已成為決定系統可靠性的生死線。實測數據顯示，當Dmin低于15%時，ACFC的開關損耗會陡增300%，電磁干擾(EMI)惡化達18dBμV。
2025-04-08
二次整流電路
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碳化硅能效革命核心突破點：共源共柵（cascode）結構詳解
安森美（onsemi）推出的碳化硅共源共柵場效應晶體管（SiC JFET cascode）在硬開關與軟開關應用場景中展現出顯著技術優勢。其官方發布的《SiC JFET共源共柵應用指南》系列文檔，通過三篇技術解析深入剖析器件特性，本文作為開篇之作，將聚焦闡釋cascode結構的核心機理。該指南不僅系統闡述共源共柵器...
2025-04-08
碳化硅 共源共柵 安森美
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福祿克聲學新品震撼上市
在全球聲學檢測技術領域，福祿克公司一直以其創新精神和卓越品質著稱。近期，福祿克發布了最新款ii1020C工業聲學成像儀，在性能、功能和用戶體驗上均實現了顯著提升，旨在為工業檢測和電力設備維護提供更為高效和精準的解決方案。
2025-04-08
福祿克
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賦能AI與能源及數字化轉型，TDK解決方案亮相慕尼黑上海電子展
TDK株式會社4月7日宣布，將于2025年4月15日至17日慕尼黑上海電子展（展位號N1.210），圍繞「為可持續的未來加速轉型」的核心理念，集中展示人工智能技術應用、綠色能源與數字化轉型的前沿創新成果，覆蓋電子應用全領域的創新技術和產品解決方案，推動各行業向更智能、更高效、更低碳的未來加速轉型。
2025-04-08
AI 能源 數字化轉型 TDK
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第18講：SiC MOSFET的動態特性
SiC MOSFET的閾值電壓（VGS(th)）通常低于Si IGBT。降低閾值電壓可降低SiC MOSFET的通態電阻。驅動SiC MOSFET需要對柵極施加負偏壓，并仔細設計控制電路布線，這是為了防止噪聲干擾引起的故障。此外，閾值電壓隨著溫度升高而降低（圖1），因此建議在高溫運行期間檢查是否有異常。
2025-04-07
SiC MOSFET 閾值電壓
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相位魔法解碼：真時延技術如何實現毫米級指向精度
相控陣天線通過移相器、真時延或二者的組合，使合成波束更精確地指向陣列轉向角度內的所需方向。本文將介紹這兩種方法，以及更寬帶寬的天線陣列是如何推動真時延在其系統設計中的應用。
2025-04-07
相控陣天線 真時延技術
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CITE 2025啟幕在即：頂尖展商集結 見證巔峰時刻
科技浪潮奔涌不息，從生成式AI重新定義內容創作，到Micro LED顛覆顯示技術，從量子計算突破存儲極限，到無人機重新定義低空經濟，全球電子信息產業正以驚人的速度迭代創新。在這場技術變革的洪流中，如何捕捉趨勢、鏈接生態、賦能未來？2025年4月9日—11日，將在深圳會展中心（福田）揭曉巔峰時刻。
2025-04-07
CITE 2025 AI 存儲
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自主生態護城河：數字化轉型的可持續競爭力構建
自主生態護城河：數字化轉型的可持續競爭力構建
2025-04-07
數字化轉型 自主生態
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借力 Mendix 低代碼，加速博世汽車電子數字化轉型
隨著數字化轉型加速和業務需求的不斷增加，擺在嘉琪面前的是縮短 30% 的開發時間，同時提升 20% 的人員開發效率的目標。然而王嘉琪和他的團隊深感傳統高代碼開發模式的邊際效益越來越低，開發周期長、人力投入要求高。同時如何提升與業務部門的溝通效率，正確理解需求，也成為嘉琪一直在思考的問題。
2025-04-07
Mendix 博世 汽車電子
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