【導(dǎo)讀】目前數(shù)字集成電路按導(dǎo)電類(lèi)型可分為雙極型集成電路（主要為 TTL）和單極型集成電路（CMOS、NMOS、PMOS 等）。CMOS 電路的單門(mén)靜態(tài)功耗在毫微瓦（nw）數(shù)量級(jí)。
目前數(shù)字集成電路按導(dǎo)電類(lèi)型可分為雙極型集成電路（主要為 TTL）和單極型集成電路（CMOS、NMOS、PMOS 等）。CMOS 電路的單門(mén)靜態(tài)功耗在毫微瓦（nw）數(shù)量級(jí)。
CMOS 集成電路的簡(jiǎn)介
CMOS 互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體，電壓控制的一種放大器件。是組成 CMOS 數(shù)字集成電路的基本單元。
金屬 - 氧化物 - 半導(dǎo)體(Metal-Oxide-Semiconductor)結(jié)構(gòu)的晶體管簡(jiǎn)稱 MOS 晶體管，有 P 型 MOS 管和 N 型 MOS 管之分。由 MOS 管構(gòu)成的集成電路稱為 MOS 集成電路，而由 PMOS 管和 NMOS 管共同構(gòu)成的互補(bǔ)型 MOS 集成電路即為 CMOS-IC（ Complementary MOS Integrated CIRcuit）。
CMOS 集成電路的性能特點(diǎn)
微直流功耗 — CMOS 電路的單門(mén)靜態(tài)功耗在毫微瓦（nw）數(shù)量級(jí)。
高噪聲容限 — CMOS 電路的噪聲容限一般在 40%電源電壓以上。
寬工作電壓范圍 — CMOS 電路的電源電壓一般為 1.5~18 伏。
高邏輯擺幅 — CMOS 電路輸出高、低電平的幅度達(dá)到全電壓的“1”為 VDD，邏輯“0”為 VSS。
高輸入阻抗 — CMOS 電路的輸入阻抗大于 108Ω,一般可達(dá) 1010Ω。
高扇出能力 — CMOS 電路的扇出能力大于 50。
低輸入電容— CMOS 電路的輸入電容一般不大于 5PF。
寬工作溫度范圍 — 陶瓷封裝的 CMOS 電路工作溫度范圍為 - 55 0C ~ 125 0C；塑封的 CMOS 電路為 – 40 0C ~ 85 0C。
所有的輸入均有刪保護(hù)電路，良好的抗輻照特性等。
CMOS 與 TTL 的比較
CMOS 發(fā)展比 TTL 晚，但是以其較高的優(yōu)越性在很多場(chǎng)合逐漸取代了 TTL。以下比較兩者性能，大家就知道其原因了。
1.CMOS 是場(chǎng)效應(yīng)管構(gòu)成，TTL 為雙極晶體管構(gòu)成
2.CMOS 的邏輯電平范圍比較大（5～15V），TTL 只能在 5V 下工作
3.CMOS 的高低電平之間相差比較大、抗干擾性強(qiáng)，TTL 則相差小，抗干擾能力差
4.CMOS 功耗很小，TTL 功耗較大（1～5mA/ 門(mén)）
5.CMOS 的工作頻率較 TTL 略低，但是高速 CMOS 速度與 TTL 差不多相當(dāng)。
CMOS 集成電路的使用注意事項(xiàng)
1、CMOS 電路時(shí)電壓控制器件，它的輸入總抗很大，對(duì)干擾信號(hào)的捕捉能力很強(qiáng)。所以，不用的管腳不要懸空，要接上拉電阻或者下拉電阻，給它一個(gè)恒定的電平。
2、輸入端接低內(nèi)組的信號(hào)源時(shí)，要在輸入端和信號(hào)源之間要串聯(lián)限流電阻，使輸入的電流限制在 1mA 之內(nèi)。
3、當(dāng)接長(zhǎng)信號(hào)傳輸線時(shí)，在 CMOS 電路端接匹配電阻。
4、當(dāng)輸入端接大電容時(shí)，應(yīng)該在輸入端和電容間接保護(hù)電阻。電阻值為 R=V0/1mA.V0 是外界電容上的電壓。
5、CMOS 的輸入電流超過(guò) 1mA，就有可能燒壞 CMOS。
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