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用于 GaN HEMT 的超快分立式短路保護

發布時間:2023-03-07 責任編輯:lina

【導讀】當今的行業需要緊湊且速度更快的電子電路,這些電路可以在高性能計算機、電動汽車、數據中心和高功率電機驅動等高功率應用中實施。實現這一壯舉的方法是提高電子設備的功率密度。硅基MOSFET具有較低的開關速度和熱效率;因此,如果不增加尺寸并因此影響功率密度,它們就不能用于高功率應用。這就是基于氮化鎵 (GaN) 的高電子遷移率晶體管 (HEMT) 用于制造高功率密度電子產品的地方,適用于各行各業的不同應用。


當今的行業需要緊湊且速度更快的電子電路,這些電路可以在高性能計算機、電動汽車、數據中心和高功率電機驅動等高功率應用中實施。實現這一壯舉的方法是提高電子設備的功率密度。硅基MOSFET具有較低的開關速度和熱效率;因此,如果不增加尺寸并因此影響功率密度,它們就不能用于高功率應用。這就是基于氮化鎵 (GaN) 的高電子遷移率晶體管 (HEMT) 用于制造高功率密度電子產品的地方,適用于各行各業的不同應用。


GaN HEMT 表現出零反向恢復、低輸出電荷和更高的轉換率,從而支持提供更高效率的更新拓撲,這是硅基 MOSFET無法實現的。GaN 的高頻操作有助于設計人員提高器件的功率密度,從而提高系統效率并節省成本。但增加的工作頻率也給為這些 GaN HEMT 設計短路和過流保護電路帶來了挑戰。


現有的保護電路及其缺點


GaN HEMT 的工作頻率非常高,因此其保護電路需要比硅基 MOSFET 中使用的傳統短路和過流保護方法更快,可概括為:


? 柵極驅動器電路中的集成去飽和故障檢測器使用 IGBT 本身作為故障測量設備。在短路期間,集電極-發射極電壓異常升高,這表明短路。

? 電流檢測電阻器是一種低壓電阻器,用于將流動電流映射為電壓以監控電流流動。它們是串聯在電路中的低阻值大功率電阻。

? 共源電感兩端的電壓檢測有助于檢測電流變化率 (di/dt)。


這些傳統保護方法的延遲時間接近 2.5 μs,這對于 GaN HEMT 來說已經很高了。電流檢測電阻器會在電路中增加額外的寄生電感,這會對 GaN HEMT 的開關性能產生負面影響。跨共源電感的電壓感測對于 GaN 來說并不實用,因為采取了主動措施來減少 GaN 電路中的雜散電感以提高開關性能。因此,GaN 器件需要替代的短路和過流保護方法。近的研究提出了一種用于保護的分立式短路/過流電路,但它們要么限于低功率電路,要么需要的組件實際上并不可行。


建議的保護方法


如前所述,目前用于GaN HEMT短路和過流保護的技術存在各種缺點。所提出的超快速分立式短路保護電路包括兩個階段:軟關斷階段和硬關斷階段。下圖顯示了所提出電路的電路圖,它主要是監測漏源電壓以獲得 V sense。然后使用比較器將V sense與參考電壓 V ref進行比較;如果 V sense大于 V ref,則故障信號被拉高。柵極驅動電路的開啟/關閉電壓用于設置 V sense,從而無需額外的電源。在隔離式柵極驅動器電路的情況下,信號隔離器用于將故障信號發送回柵極驅動器電路。故障信號禁用柵極驅動器電路,啟動硬關斷階段。


用于 GaN HEMT 的超快分立式短路保護

擬議保護電路的電路圖(:IEEE)


軟關斷功能用于限制由于高雜散電感變化而產生的電壓尖峰。R3 電阻和有源 MOSFET 開關實現相同的功能。當故障信號變高時,MOSFET 被觸發以使用用于 GaN HEMT 柵極的 Rg_on 和 R3 電阻器形成分壓器。較低的柵極電壓限制了飽和電流,從而逐漸降低了漏極電流。


仿真和硬件實現結果


為了測試所提方法的短路和過流保護能力,在LTspice仿真軟件上進行了仿真。短路保護測試是基于單端器件的硬開關故障短路,而過流保護是在典型的雙脈沖測試電路上進行測試。在短路期間,漏極電流 Id迅速上升到其飽和點,并且由于電路中存在雜散電感,在 V ds中觀察到電壓驟降。


用于 GaN HEMT 的超快分立式短路保護

短路試驗模擬結果:(a)無保護;(b) 僅硬關斷保護;(c) 兩級保護(:IEEE)


上圖顯示了三種不同情況下的仿真結果:無保護、僅硬關斷保護和兩級保護。無保護電路情況下的溫度圖顯示結溫迅速上升,這可能導致產品熱損壞。此外,仿真結果表明,硬關斷和兩級保護電路都能夠將溫升保持在可接受的范圍內,從而保護器件免受熱損壞。仿真結果顯示在硬關斷保護的情況下會出現高壓尖峰。這是因為柵極驅動電路僅在漏極電流 I d超過設定的限制。這意味著電路中存在雜散電感,進而導致高 di/dt,從而導致高電壓尖峰。兩級保護電路的軟關斷保護功能有助于保持低雜散電感,從而防止高壓尖峰。


對電路進行了硬件測試以檢查其真實性。400V短路測試結果表明,軟關斷耗時85ns,二級硬關斷耗時125ns,遠低于傳統的短路和過流保護電路的轉彎- 2.5 μs 的關斷時間。硬件結果還表明,由于軟關斷功能,雜散電感引起的電壓尖峰僅為 520 V。本文中描述的保護電路可以更快地響應 GaN HEMT 中的短路和過流故障,并有助于這些高頻半導體器件的大規模采用和更安全的實施。


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