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MicroFET :飛兆半導體推出采用超緊湊型MOSFET

發布時間:2010-05-11 來源:電子元件技術網

產品特性
  • 采用超緊湊、薄型封裝
  • 備有數種常用的拓撲選擇
  • 采用飛兆半導體性能先進的 PowerTrench® MOSFET 工藝技術
應用范圍:
  • 便攜產品

飛兆半導體公司 (Fairchild Semiconductor) 為滿足便攜產品設計人員不斷尋求效率更高、外形更小更薄的解決方案的需求,推出采用超緊湊、薄型(1.6mm x 1.6mm x 0.55mm)封裝的高性能 MicroFET MOSFET 產品系列。

設計人員使用這一行業領先的產品系列,能夠挑選最適合其應用和設計需求的 MicroFET MOSFET 產品。新的產品系列備有數種常用的拓撲選擇,包括單P溝道和肖特基二極管組合,單N溝道和肖特基二極管組合、雙P溝道、雙N溝道、互補對(complementary pair)、單N溝道和單P溝道器件。

這些 MicroFET MOSFET 采用飛兆半導體性能先進的 PowerTrench® MOSFET 工藝技術,能夠實現非常低的RDS(ON)、總體柵極電荷(QG) 和米勒電荷(QGD),從而獲得出色的傳導和開關性能及熱效率。相比傳統的MOSFET封裝,其先進的MicroFET封裝提供了出色的功耗和傳導損耗特性。

飛兆半導體提供業界最廣泛的具有增強熱性能的超緊湊薄型1.6mm x 1.6mm 和2mm x 2mm MicroFET器件。這些易于使用、節省空間的高性能MOSFET是便攜應用的理想選擇。

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