【導讀】安森美半導體與ICs LLC達成授權(quán)/開發(fā)協(xié)議，將能夠抗輻射的專用集成電路(ASIC)推向市場。獲取全面的RHBD IP更進一步擴闊公司現(xiàn)有的ASIC陣容，用于更廣泛的高可靠性應(yīng)用。
通過這協(xié)議產(chǎn)生的抗輻射加固設(shè)計(RHBD) ASIC將基于安森美半導體的ONC110 110納米(nm)工藝，用于ASIC設(shè)計及生產(chǎn)。引入RHBD ASIC擴展了公司包含遵從國際武器貿(mào)易規(guī)章認證(ITAR)、美國國防微電子業(yè)務(wù)處(DMEA)可信供應(yīng)商認證及DO-254支援的軍事及航空產(chǎn)品陣容。
輻射測試已經(jīng)顯示這些ASIC在遭受超過100 MeVcm2/mg的線性能量轉(zhuǎn)移(LETs)攻擊時具備強大的抗單粒子翻轉(zhuǎn)(SEU)及抗單粒子閉鎖(SEL)性能，而雙端口靜態(tài)隨機存取存儲器(SRAM)提供40 MeVcm2/mg的抗雙位翻轉(zhuǎn)(DBU)性能。此外，還引入了新穎的RHBD觸發(fā)器(flip flop)架構(gòu)，稱作自修復邏輯(SRL)。這SRL觸發(fā)器已經(jīng)顯示出在高達700兆赫茲(MHz)頻率時抗單粒子效應(yīng)的強固性。這些新RHBD IC的首要目標將是高可靠性應(yīng)用，如太空探索、衛(wèi)星通信及監(jiān)控、航空、無人飛行器(UAV)、商用飛機、核能、粒子物理研究及軍事裝備。
ICs LLC首席執(zhí)行官(CEO) Joe Feeley博士說：“隨著業(yè)界邁向更小半導體工藝結(jié)構(gòu)，減輕輻射效應(yīng)正成為一個日益重要的問題。用于抗SEU的傳統(tǒng)RHBD方案并沒有為高速電路提供充足的保護，SRL方案則提供充足保護。安森美半導體是解決這重要問題的唯一方案供應(yīng)商，使客戶能夠為重要的實時應(yīng)用生產(chǎn)容錯型ASIC。”
安森美半導體軍事/航空、數(shù)字及定制代工副總裁Vince Hopkin說：“得益于與ICs LLC達成的這影響深遠的協(xié)議，安森美半導體能配合我們客戶的要求，提供擁有更大數(shù)量邏輯門及更小幾何尺寸工藝技術(shù)的ASIC，同時還針對因暴露在輻射環(huán)境下導致的故障提供充沛保護。結(jié)合我們的‘’’可信’供貨源身份及提供高度安全之開發(fā)流程能力，增添RHBD于產(chǎn)品陣容表示我們處在極有利的位置，能夠服務(wù)多種多樣的航空、軍事及太空項目，而這些項目中非常講究數(shù)據(jù)及知識產(chǎn)權(quán)(IP)的完整性。”
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