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離線式LED驅動器參考設計

發布時間：2012-10-23 責任編輯：easonxu

【導讀】該應用筆記介紹了400VDC輸入、非隔離型LED驅動器的參考設計。該設計能夠以400mA電流驅動27只串聯WLED (白光LED)或6只琥珀色LED。采用變壓器構建成非連續、反激模式拓撲。電路采用MAX16801 HB (高亮度) LED控制器。

本參考設計為離線式(400VDC)、反激LED驅動器。該設計能夠以400mA電流驅動27只WLED (白光LED)。安裝跳線J1后，能夠以400mA電流驅動6只琥珀色LED。設計采用MAX16801 HB LED控制器和三繞組變壓器(耦合線圈)。由于電流檢測信號直接饋入IC控制環路，所以采用的是非隔離架構。

變壓器匝數比為18:6:1，初級電感為800μH，額定電流為750mA (峰值)，占空比始終小于50%。

工作頻率固定為265kHz，不可調。提供120V過壓保護(不閉鎖)，UV檢測電平為310V。啟動延遲時間大約為43ms，之后，VIN電壓上升到大約22V，IC開始驅動外部MOSFET。這將使VIN的電容電壓衰減，直到繞組自舉電壓能夠支持器件的供電。由于LED在低壓時處于高阻態，次級繞組的主要負載只是輸出電容。次級到第三繞組的匝數比是6:1，這意味著一旦輸出電容的電壓達到60V，自舉繞組將為IC提供10V電源。對于6只LED串聯的應用(安裝J1)，輸出電容必須在IC獲得10V供電之前充電到10.7V。

在電感繞組初級的峰值電流為750mA，將初級繞組分開，使次級繞組處于二者之間，能夠使變壓器漏感降至最小。測量到的變壓器初級繞組漏感小于5μH。如此小的數值無需采用特殊處理來消除漏感能量；所有泄漏能量消耗在MOSFET上，變壓器溫升低于30°C。

開關MOSFET具有隔離層，將其接地有助于散熱，能夠減小承受高速瞬變電壓的覆銅面積，從而降低EMI輻射。MOSFET的溫升不到40°C。

VIN: 400VDC ±10%
PWM: N/A
VLED配置： 27只LED (2.8VDC至4VDC)串聯(75.6VDC最小值至108VDC最大值)；400mA
安裝跳線：6只LED (2VDC至3VDC)串聯(12V最小值至18V最大值)；400mA