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什么樣的電源設(shè)計(jì)，能讓無人機(jī)載荷更大、飛得更遠(yuǎn)？
無人機(jī)是一種無人駕駛的航空器，可以由人類操作員遠(yuǎn)程控制，也可以由編程的機(jī)載計(jì)算機(jī)自主導(dǎo)航。由于其為人類提供了一種利用天空的新方式，近年來備受追捧，其潛在的巨大價(jià)值也正在釋放出來。
2024-05-17
電源設(shè)計(jì) 無人機(jī)
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從4個(gè)到256個(gè)通道，GaN技術(shù)如何創(chuàng)新5G基站系統(tǒng)的緊湊設(shè)計(jì)
電子系統(tǒng)工程師們正在適應(yīng)5G基站設(shè)計(jì)領(lǐng)域的重大變革；包括發(fā)射/接收通道的數(shù)量從4個(gè)激增至高達(dá)256個(gè)。同時(shí)，這些基站的頻率范圍也有所提升，從原先的1GHz擴(kuò)展到現(xiàn)在的3-4GHz，并有望達(dá)到7GHz。隨著更多通道的引入（如上述256個(gè)收發(fā)通道這樣的配置），對(duì)既高效又具備精確信號(hào)能力的功率放大器的需求...
2024-05-17
通道 GaN技術(shù) 5G基站系統(tǒng)
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RSC6218A LLC諧振電源案例分享
開關(guān)電源的開關(guān)特性會(huì)使電源的MOS與變壓器產(chǎn)生電磁兼容方面的干擾，優(yōu)秀的PCB Layout可以解決電磁兼容問題，同時(shí)也可有效避免干擾源的擴(kuò)大；如圖結(jié)合實(shí)例說明RSC6218A系列LLC諧振電源方案PCB的設(shè)計(jì)要點(diǎn)，提升LLC諧振方案的穩(wěn)定性。
2024-05-16
RSC6218A LC諧振電源
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羅姆：先進(jìn)的半導(dǎo)體功率元器件和模擬IC助力工業(yè)用能源設(shè)備節(jié)能
隨著向無碳社會(huì)的推進(jìn)以及能源的短缺，全球?qū)稍偕茉醇挠韬裢瑢?duì)不斷提高能源利用效率并改進(jìn)逆變器技術(shù)（節(jié)能的關(guān)鍵）提出了更高要求。而功率元器件和模擬IC在很大程度上決定了逆變器的節(jié)能性能和效率。通過在適合的應(yīng)用中使用功率元器件和模擬IC，可以進(jìn)一步提高逆變器的功率轉(zhuǎn)換效率，降低工...
2024-05-16
羅姆 半導(dǎo)體功率元器件 模擬IC 工業(yè)用能源設(shè)備
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掌握幾個(gè)技巧 降低運(yùn)放電路中的功耗！
為了了解運(yùn)算放大器電路中的功耗問題，我們首先明白具有低靜態(tài)電流 (IQ)的放大器以及增加反饋網(wǎng)絡(luò)電阻值與功耗之間的關(guān)系。
2024-05-14
運(yùn)放電路
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抓住JESD204B接口功能的關(guān)鍵問題
JESD204B是最近批準(zhǔn)的JEDEC標(biāo)準(zhǔn)，用于轉(zhuǎn)換器與數(shù)字處理器件之間的串行數(shù)據(jù)接口。它是第三代標(biāo)準(zhǔn)，解決了先前版本的 一些缺陷。該接口的優(yōu)勢包括：數(shù)據(jù)接口路由所需電路板空間更少，建立與保持時(shí)序要求更低，以及轉(zhuǎn)換器和邏輯器件的封裝更小。多家供應(yīng)商的新型模擬/數(shù)字轉(zhuǎn)換器采用此接口，例如ADI的 ...
2024-05-14
JESD204B 接口功能
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如何使用帶有I2C和SPI解碼的示波器排查系統(tǒng)問題
大多數(shù)基于微控制器的設(shè)計(jì)都使用I2C或SPI，或兩者兼用，來實(shí)現(xiàn)控制器之間以及控制器與外圍芯片之間的通信。當(dāng)芯片發(fā)送特定的I2C或SPI數(shù)據(jù)包時(shí)，能夠看到嵌入式系統(tǒng)內(nèi)部的操作對(duì)于排除故障至關(guān)重要。許多管理相對(duì)較慢參數(shù)的芯片，如溫度傳感器、電機(jī)控制器、人機(jī)界面或電源管理等，都將這些總線作為...
2024-05-14
I2C SPI解碼 示波器
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Boost電路的CCM模式與DCM模式
Boost升壓電路，可以工作在電流斷續(xù)工作模式(DCM)和電流連續(xù)工作模式(CCM)。CCM工作模式適合大功率輸出電路，電感電流需保持連續(xù)狀態(tài)，因此，按CCM工作模式來進(jìn)行特性分析。不管哪種拓?fù)洌銫CM和DCM的定義，是一樣的。
2024-05-14
Boost電路的CCM模式與DCM模式
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MOS管被擊穿的原因及解決方案
mos管是金屬（metal）—氧化物（oxide）—半導(dǎo)體（semiconductor）場效應(yīng)晶體管，或者稱是金屬—絕緣體（insulator）—半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對(duì)調(diào)的，他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。在多數(shù)情況下，這個(gè)兩個(gè)區(qū)是一樣的，即使兩端對(duì)調(diào)也不會(huì)影響器件的性能。這樣的器件被認(rèn)為是對(duì)稱的。
2024-05-14
MOS管
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