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產(chǎn)品特性：

• 器件具有背面絕緣的特點(diǎn)
• 1.55mm ×1.55mm的超小尺寸及0.64mm的超薄厚度
• VGS 1.8V時0.043? 至4.5V時0.037?的低導(dǎo)通電阻
• 最大柵源電壓為 ±8 V

應(yīng)用范圍：

• 手機(jī)、PDA、數(shù)碼相機(jī)
• MP3 播放器及智能電話等便攜設(shè)備

日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH） 宣布推出業(yè)界首款采用 MICRO FOOT芯片級封裝的 TrenchFET功率 MOSFET --- Si8422DB，該器件具有背面絕緣的特點(diǎn)。

Si8422DB 針對手機(jī)、PDA、數(shù)碼相機(jī)、MP3 播放器及智能電話等便攜設(shè)備中的功率放大器、電池和負(fù)載切換進(jìn)行了優(yōu)化。該器件 2-mil背面涂層可實現(xiàn)對 MICRO FOOT 封裝的頂部絕緣，以防與便攜器件中移動部件暫時接觸而產(chǎn)生的電路短路。

此絕緣設(shè)計令該器件可用于具有非常嚴(yán)格的高度要求的應(yīng)用，從而設(shè)計人員可靈活放置 MOSFET，屏蔽、按鈕或觸摸屏等其他零部件可直接放置在 MOSFET 的上方，這在壓低上述部件空間時將進(jìn)一步壓縮產(chǎn)品的高度。此設(shè)計靈活性還可減少寄生效應(yīng)，由于無需路由至 PCB 上的區(qū)域及更少的高度限制，電路布局可更好地優(yōu)化。

20V n 通道 Si8422DB 具有 1.55mm × 1.55mm 的超小尺寸及 0.64mm 的超薄厚度。該器件提供了1.8V VGS 時 0.043 ? 至 4.5V VGS 時 0.037? 的低導(dǎo)通電阻范圍，且最大柵源電壓為 ±8 V。

目前，新型 Si8422DB 可提供樣品，并已實現(xiàn)量產(chǎn)，大宗訂單的供貨周期為 10 至 12 周。