同時提供了低邊和高邊MOSFET- 導通電阻降至5mΩ
- 6 mm×3.7mm的新型PowerPAIRTM封裝
- 符合IEC 61249-2-21的無鹵素規(guī)定
- 電源模塊
- 低電流DC-DC轉(zhuǎn)換器
- 同步降壓轉(zhuǎn)換器
SiZ700DT采用6 mm×3.7mm的新型PowerPAIRTM封裝，在一個緊湊的器件內(nèi)同時提供了低邊和高邊MOSFET，同時保持了低導通電阻和高最大電流的特性，比使用兩個分立器件的方案節(jié)省了很多電路板空間。PowerPAIR的厚度為0.75 mm，比厚度為1.04mm的PowerPAK 1212-8和PowerPAK SO-8封裝薄了28%。
在PowerPAIR型封裝出現(xiàn)之前，工程師在設計用于筆記本電腦、VRM、電源模塊、圖形卡、服務器、游戲機的系統(tǒng)電源、POL、低電流DC-DC轉(zhuǎn)換器和同步降壓轉(zhuǎn)換器，以及工業(yè)系統(tǒng)中的DC-DC轉(zhuǎn)換器時，只能使用兩個獨立的器件來達到降低導通電阻和提高電流的目的。
例如，常規(guī)雙MOSFET的PowerPAK 1212-8的導通電阻大約是30mΩ，最大電流不到10A，因此不是可行的方案。單MOSFET的PowerPAK 1212-8的導通電阻降至5mΩ左右。SiZ700DT中低邊溝道的MOSFET具有類似的導通電阻，在10V和4.5V電壓下的導通電阻分別為5.8mΩ和6.6mΩ，在+25℃和+70℃溫度下的最大電流分別為17.3A和13.9A。除此以外，高邊溝道的MOSFET在10V和4.5V電壓下的導通電阻分別為8.6mΩ和10.8mΩ，在+25℃和+70℃溫度下的最大電流分別為13.1A和10.5A。
這些指標令設計者能夠用一個器件替代原先的兩個器件，節(jié)省成本和空間，包括兩個分立MOSFET間的空隙和標識面積。在一些更低電流和更低電壓的應用中，甚至可以用PowerPAIR器件替換兩個SO-8封裝的MOSFET，至少能夠節(jié)省三分之二的空間。
由于兩個MOSFET已經(jīng)在PowerPAIR封裝內(nèi)部連接上了，電路板的布局會更加簡單，PCB走線的寄生電感也減小了，提高了系統(tǒng)效率。此外，SiZ700DT在引腳排列上了優(yōu)化，這樣在一個典型的降壓轉(zhuǎn)換器上，輸入引腳被安排在一側(cè)，輸出引腳是在另外一側(cè)，進一步簡化了電路板布局。
器件符合IEC 61249-2-21的無鹵素規(guī)定。
性能規(guī)格表：
SiZ700DT TrenchFET功率MOSFET現(xiàn)可提供樣品，將在5月實現(xiàn)量產(chǎn)，大宗訂貨的供貨周期為十周至十二周。
