產(chǎn)品特性：
- 最大導通電阻分別為1.2mΩ和1.7mΩ
- 該器件在4.5V電壓下的柵電荷只有85nC
- VDS=12V，VGS=±20V
- 采用PowerPAK SO-8封裝
- 低輸入電壓(5V～3.3V)同步降壓轉(zhuǎn)換器
- 低輸出電壓(5V，3.3V和更低)OR-ing應用
- 各種采用5V和3.3V輸入電壓負載點(POL)轉(zhuǎn)換器的系統(tǒng)
額定電壓12V的SiR494DP在10V和4.5V柵極驅(qū)動下的最大導通電阻分別為1.2mΩ和1.7mΩ。導通電阻與柵電荷的乘積是評價用于DC-DC轉(zhuǎn)換器應用中MOSFET的關鍵品質(zhì)因數(shù)(FOM)，該器件在4.5V電壓下的柵電荷只有85nC。
與對低傳導損耗和低開關損耗進行過優(yōu)化的最接近的競爭器件相比，這些指標表明該器件在10V和4.5V下的導通電阻分別減小了40%和35%，F(xiàn)OM降低了29%。更低的導通電阻和柵電荷意味著更低的傳導和開關損耗。
Vishay Siliconix SiR494DP可用于采用低輸入電壓(5V～3.3V)同步降壓轉(zhuǎn)換器、低輸出電壓(5V，3.3V和更低)OR-ing應用，以及各種采用5V和3.3V輸入電壓負載點(POL)轉(zhuǎn)換器的系統(tǒng)中的低壓側MOSFET，在這些應用中，新器件的低導通損耗和低開關損耗將能夠更有效率地使用能源。
對于低輸出電壓的應用，12V的柵源額定電壓恰好夠用，但迄今為止，設計工程師被迫選用20V的器件，尤其是設計者同時需要最低的導通電阻和20V的柵源電壓時。SiR494DP是具有這些特性的首款MOSFET：VDS=12V，VGS=±20V，在10V柵極驅(qū)動下的導通電阻只有1.2mΩ。
新型功率MOSFET采用PowerPAK SO-8封裝。這款無鉛、無鹵素的器件符合IEC 61249-2-21的要求，符合RoHS Directive 2002/96/EC規(guī)范，并100%通過了Rg和UIS測試。
SiR494DP現(xiàn)可提供樣品，并已實現(xiàn)量產(chǎn)，大宗訂貨的供貨周期為十周至十二周。
