SiR870DP和Si4190DY的產品特性：
- 采用新型ThunderFET®技術
- SO-8/PowerPAK® SO-8封裝
- 在4.5V下具有業(yè)內最低導通電阻
SiR870DP和Si4190DY的應用范圍：
- 電源
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出兩款新的100V N溝道TrenchFET®功率MOSFET---SiR870DP和Si4190DY。SiR870DP和Si4190DY使用了Vishay的新型 ThunderFET®技術，在具有4.5V電壓等級的100V MOSFET中具有業(yè)內最低的導通電阻。此外，該器件的導通電阻與柵極電荷乘積也是同類產品中最佳的，該數(shù)值是衡量DC/DC轉換器應用中MOSFET性能的優(yōu)值系數(shù)(FOM)。
SiR870DP在4.5V電壓下的7.8m?導通電阻是業(yè)內最低的。這款MOSFET在10V電壓下的導通電阻也非常低，僅有6m?。對于設計者來說，更低的器件導通電阻意味著更低的傳導損耗，同時也使節(jié)能的綠色產品減少功耗。
SiR870DP在4.5V電壓下具有低至208 mΩ-nC的FOM，從而能在更高頻率和開關應用中降低傳導和開關損耗。對于采用SO-8封裝器件的設計者，Si4190DY在10V和4.5V電壓下的導通電阻為8.8m?和12m?，在10V和4.5V下的FOM分別為340 mΩ-nC和220 mΩ-nC，均達到業(yè)內最佳水準。
近日發(fā)布的器件針對用于電信的磚式電源和總線轉換器應用的隔離式DC/DC電源中初級側開關和次級側同步整流進行了優(yōu)化。這些MOSFET能在4.5V電壓下導通，因此各種PWM和柵極驅動IC 都能進入到設計者的備選之列。而使用5V額定電壓的IC，不但能夠降低柵極驅動損耗，而且由于無需使用單獨的12V電源軌，能夠簡化電源的整體設計。
SiR870DP和Si4190DY經(jīng)過了100%的Rg和UIS測試。MOSFET符合IEC 61249-2-21的無鹵素規(guī)定，并符合RoHS指令2002/95/EC。
器件規(guī)格表
