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ST推出9款全新功率MOSFET產品用于汽車系統

發布時間:2011-05-30 來源:華強電子網

產品特性:

  • 采用STripFET VI DeepGATE技術
  • 極低的導通功耗與有效芯片尺寸比

應用范圍:

  • 汽車設備及其他應用的電源和驅動器


汽車系統半導體供應商意法半導體(STMicroelectronics,簡稱ST)推出9款全新汽車級功率MOSFET,進一步擴大STripFET™ VI DeepGATE™功率MOSFET產品組合,為新一代汽車實現能效、尺寸及成本優勢。

高能效電氣系統對于汽車制造商日益重要。從車窗升降機、雨刷器、暖氣鼓風機,到引擎控制模塊、起動機-交流發電機、能源恢復系統,這些均由電氣系統管理,而混合動力汽車則更需要高效的能源管理系統,以最大限度地延長汽車的續航里程。意法半導體的新款功率MOSFET能夠將電氣系統驅動器和控制器的正常功耗降至最低,從而提升電氣系統的能效;同時還可減少電路產生的熱量,實現更小、更輕的裝置設備。

全新符合AEC-Q101的30V和40V功率器件采用意法半導體先進的STripFET VI DeepGATE技術,擁有極低的導通功耗與有效芯片尺寸比。這兩款產品擁有3.0 mΩ至12.5 mΩ的低導通功耗,采用工業標準DPAK或D2PAK兩種貼裝功率封裝,占用更小的電路板空間。全新功率MOSFETS系列包括邏輯電平和標準電平兩款型號。

為保證新產品達到汽車應用要求的可靠性和穩健性,按照AEC-Q101標準認證的測試條件,所有器件在晶圓制程和成品階段均經過100%雪崩測試。除汽車設備以外,新系列產品還可提高其它應用的電源和驅動器的能效。

主要特性:

30V和40V擊穿電壓
額定輸出電流 44A至80A
標準閥壓驅動
邏輯電平控制
-55°C至175°C 工作溫度范圍
通過AEC-Q101認證

 

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