產(chǎn)品特性：
- 采用溝槽拓撲結構
- 提供優(yōu)異的低正向壓降及更低漏電流
應用范圍：
- 筆記本適配器或平板顯示器的開關電源，DC-DC轉換器等
應用于高能效電子產(chǎn)品的首要高性能硅方案供應商安森美半導體推出新系列的100伏(V)溝槽型低正向壓降肖特基整流器(LVFR)，用于筆記本適配器或平板顯示器的開關電源、反向電池保護電路及高頻直流-直流(DC-DC)轉換器等應用。
新的NTST30100CTG、NTST20100CTG及NTSB20U100CTG系列器件采用溝槽拓撲結構，提供優(yōu)異的低正向壓降及更低漏電流，因而導電損耗低及大幅提升的電路能效，幫助設計工程師符合高能效標準規(guī)范要求，不會增加復雜度，例如無須同步整流。
此LVFR系列利用溝槽金屬氧化物半導體(MOS)結構，在正向偏置條件下提供更大的導電區(qū)，因而顯著降低正向壓降。在反向偏置條件下，此結構產(chǎn)生“夾斷”(pinch-off)效應，從而降低漏電流。跟平面型肖特基整流器不同，安森美半導體的溝槽型LVFR的開關性能在-40 °C至+150 °C的整個工作結點溫度范圍內都很優(yōu)異。
為了證明LVFR的優(yōu)勢，安森美半導體將其30 A、100 V LVFR (NTST30100SG)與標準的30 A、100 V平面型肖特基整流器進行比較。基于65 W電源適配器測試的數(shù)據(jù)顯示，使用LVFR比使用平面肖特基整流器的能效高1%。如此顯著的能效提升使電源設計人員能夠符合規(guī)范要求，同時不增加方案的復雜度及成本，例如無須同步整流。
安森美半導體功率分立分部高級總監(jiān)兼總經(jīng)理John Trice說：“我們的客戶力求其產(chǎn)品設計更高能效，面市已久的平面型肖特基整流器根本無法高性價比地提供溝槽型LVFR系列所具的性能及能效。LVFR在擴展溫度范圍內提供優(yōu)異正向壓降及反向漏電流性能，超出我們客戶提升電源能效的嚴格規(guī)格。”
安森美半導體新的LVFR器件及各自典型性能特性如下表所示：
