【導讀】Microsemi新型SiC蕭特基二極管提升功率轉換效率，與硅(Si)材料相較，碳化硅(SiC)材料具有多項優(yōu)勢，包括較高的崩潰電場強度和更佳導熱率，這些特性可讓設計人員制作具有更好性能特性的組件。
美高森美公司(Microsemi Corporation)推出采用碳化硅(SiC)材料和技術的全新1200V蕭特基二極管系列，新的二極管產(chǎn)品針對廣泛的工業(yè)應用，包括太陽能轉換器、電焊機、電漿切割機、快速車輛充電、石油勘探以及十分著重功率密度、更高性能和可靠性的其它高功率高電壓應用。
與硅(Si)材料相較，碳化硅(SiC)材料具有多項優(yōu)勢，包括較高的崩潰電場強度和更佳導熱率，這些特性可讓設計人員制作具有更好性能特性的組件，包括零逆向恢復、不受溫度影響特性、較高電壓能力，以及較高工作溫度，因而達到新的性能、效率和可靠性水平。
除了SiC二極管組件固有的優(yōu)勢之外，美高森美是唯一一家提供大尺寸貼片、背部可焊接D3 封裝SiC蕭特基二極管的制造商，容許設計人員達到更高的功率密度和較低的制造成本。
美高森美公司功率產(chǎn)品部總經(jīng)理Russell Crecraft表示：“我們利用超過二十五年的功率半導體組件設計和制造專有技術，推出具有無與倫比的性能、可靠性和整體質(zhì)量水平的SiC二極管系列。下一代功率轉換系統(tǒng)需要更高的功率密度、更高的運作頻率更高的和效率，而美高森美新的碳化硅組件能夠協(xié)助系統(tǒng)設計人員滿足這些需求。”
全新1200V SiC 蕭特基二極管產(chǎn)品陣容包括：APT10SCD120BCT (1200V、10A、共陰極TO-247封裝)、 APT20SCD120B (1200V、20A、TO-247封裝)、 APT30SCD120B (1200V、30A、TO-247封裝)、 APT20SCD120S (1200V、20A、D3 封裝)與 APT30SCD120S (1200V、30A、D3 封裝)。
美高森美新型 SiC 蕭特基二極管現(xiàn)已量產(chǎn)。
