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恩智浦新一代硅鍺碳BiCMOS QUBIC4技術促進射頻創新

發布時間:2009-06-16

新聞事件:

  • 恩智浦半導體近日推出業界領先QUBIC4 BiCMOS硅技術

事件影響:

  • 可使客戶在器件中集成更多功能,同時進一步降低成本,減小占用空間
  • 在所有雙向數據傳輸系統中提供更大的帶寬,提高語音、圖像和數據信號的清晰度

恩智浦半導體近日推出業界領先QUBIC4 BiCMOS硅技術鞏固了其在射頻領域的領導地位,實現在高頻率提供更的性能和更高集成度的同時,為客戶帶來成本優勢。恩智浦承諾將進一步加大對QUBIC4 BiCMOS技術的投入,使未來的射頻(RF)產品,如手機和通信基礎設施設備所用的低噪聲放大器、中功率放大器和LO發生器等,能夠具有更強的性能特性。

恩智浦創新的硅鍺碳工藝,可使客戶在器件中集成更多功能,同時進一步降低成本,減小占用空間。出類拔萃的QUBIC4技術具有最出色的低噪聲性能和大量可用IP,從而加快硅器件對砷化鎵器件的替換,在所有雙向數據傳輸系統中提供更大的帶寬,提高語音、圖像和數據信號的清晰度,使客戶滿意;特別是在GPS、無線基站、電子計量等領域,恩智浦的QUBIC4技術有助于加快GPS系統的衛星跟蹤和定位,改善基站性能,實現電子計量產品的普及,同時推動WLAN、衛星和微波無線電應用。

Gartner公司研發副總裁Stan Bruederle表示世界已走向無線時代。無論是在戶內還是在戶外,客戶無時不刻在與越來越多的移動設備打交道,以享受激動人心的新式應用和娛樂。但是,隨著越來越多的數據涌入這些設備,設備本身對于其性能和頻率的束縛也被推至極限。現在,半導體工業已把射頻集成度和性能推進到了一個前所未有的水平,確保設備制造商能夠抓住新興應用市場,而使消費者擁有功能更完善的移動設備。

恩智浦同時也可提供QUBIC4ASIC服務結合我們豐富的射頻和微波設計經驗大量的IP、先進的低成本射頻封裝技術,以及自有的晶元工廠,我們能為客戶提供質量可靠的批量生產能力。

恩智浦半導體模擬混合信號產品部副總裁John Croteau表示客戶需求推動射頻市場發展,其很大程度有賴于大規模生產的成本結構QUBIC4技術雖然以硅技術為基礎,但卻具有砷化鎵技術的性能,能夠提供更強性能、更高集成度、更具成本優勢的解決方案,同時能夠確保出色的信號質量。此舉完美展示恩智浦致力于推出新一代高性能射頻技術,以支持新的移動連接設備的承諾。

恩智浦硅鍺碳 BiCMOS QUBiC4技術在發展過程中產生了三種版本:

· QUBiC4+以硅技術為基礎非常適合5 GHz及以下頻率的應用以及中功率放大。

· QUBiC4X第一代硅鍺碳技術,非常適合頻率在30 GHz及以下的應用以及GPS等超低噪聲應用。

· QUBiC4Xi最新的硅鍺碳技術,改善了Ft (> 200 GHz)噪聲系數更低非常適合VSAT和雷達等頻率在30 GHz以上的應用。

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