- 效率高達65%
- 輸出功率為75W
- 支持“綠色”架構
- 私人移動無線通信
- 3G/4G無線基礎設施
- ISM、軍事和民用雷達
- ATV傳輸網(wǎng)絡
日前，高性能射頻組件以及復合半導體技術設計和制造領域的全球領導者RF Micro Devices, Inc.宣布已通過并生產(chǎn)RF3932，這種無與倫比的75瓦特高效率氮化鎵(GaN)射頻功率晶體管(UPT)比砷化鎵和硅工藝技術的性能更出色。
RF3932是繼最近140瓦特RF3934推出之后的續(xù)推產(chǎn)品，RF3934是RFMD的UPT系列中輸出功率最高的器件。RFMD計劃在 2011年第一季度推出第三個氮化鎵UPT器件，以擴大其氮化鎵功率晶體管系列，為RFMD客戶提供更多的選擇。目前，RF3932可提供樣品，并已實現(xiàn)量產(chǎn)。
RFMD的氮化鎵功率晶體管支持“綠色”架構，可降低能源消耗，提高網(wǎng)絡運營商的熱能管理和網(wǎng)絡效率。RF3932的工作頻率極為廣泛(直流到3GHz)，可提供超過65%的高峰值效率。而且，RF3932整合了原本封裝在外部的簡單、經(jīng)優(yōu)化的匹配網(wǎng)絡，在單個放大器中提供寬帶增益和功率性能優(yōu)勢。RF3932采用兩端含鉛的密閉陶瓷法蘭封裝，利用RFMD先進的散熱和功耗技術提供卓越的熱穩(wěn)定性和傳導性。根據(jù)整體的功率要求，75瓦特的 RF3932和140瓦特的RF3934是驅(qū)動器及/或輸出階段的最佳選擇。
RFMD多市場產(chǎn)品部(MPG)總裁Bob Van Buskirk說：“RFMD非常高興能夠擴展我們基于氮化鎵的產(chǎn)品系列，為各種終端市場提供行業(yè)領先的功率性能。RFMD的氮化鎵產(chǎn)品系列明確地反映出我們追求技術和產(chǎn)品領導地位的承諾，我們希望引進更多具有出色的功率密度、高效率、高可靠性和“綠色”能耗優(yōu)勢的氮化鎵產(chǎn)品。”
RFMD的48伏高功率密度氮化鎵半導體工藝具有高射頻功率密度和效率、低電容和高熱能傳導性。這些特點使精密高效的高功率放大器 (HPAs)得到發(fā)展及廣泛應用，這些應用包括私人移動無線通信(PMR)、3G/4G無線基礎設施、ISM(工業(yè)、科學和醫(yī)療)、軍事和民用雷達以及 CATV傳輸網(wǎng)絡。
