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金海迪電子攜0.5mm超薄貼片器件亮相深圳電子展 定義新能源磁性元件新標桿
2025年4月10日，深圳會展中心9號館內(nèi)，濰坊金海迪電子有限公司（展位9C515）以全球首發(fā)姿態(tài)引爆第105屆中國電子展。作為高頻貼片磁性器件領域的隱形冠軍，這家國家級高新技術企業(yè)重磅推出厚度僅0.5mm的SMD-8015型超薄貼片電流互感器，其突破性的±0.3%檢測精度和125℃高溫耐受性能，直擊微型逆變器與儲能設備微型化痛點。展臺上，由全自動化產(chǎn)線打造的PT-3200系列貼片變壓器同步亮相，以30%的體積壓縮比和醫(yī)療級可靠性標準，向全球客商演繹中國精密電子元件的"硬核科技"進階之路。
2025-04-10
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無需磁性元件的光伏調(diào)節(jié)器
光伏系統(tǒng)通常包括一種儲能方式——電池或超級電容器——在沒有陽光或電源瞬變時為負載提供電力。然而，在可行的情況下，無儲能系統(tǒng)是一種更環(huán)保的替代方案，具有更高的 MTBF。
2024-09-10
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使用 GaN IC 離線電源的大容量電容器優(yōu)化
額定功率75W以下的適配器可細分為：輸入濾波器、二極管整流器、輸入輸出電容器、IC控制器、輔助電源、磁性元件、功率器件和散熱器。集成解決方案在縮小和簡化轉(zhuǎn)換器方面已經(jīng)取得了長足的進步，目前的剩余組件是磁性元件、輸入“大容量”電容器、輸出電容器和 EMI 輸入級。大量的研究和工程工作集中在高頻交流/直流轉(zhuǎn)換器設計上，以減小磁性元件的尺寸。然而，輸入大容量電容器占據(jù)與適配器內(nèi)的磁性元件相同或更大的體積。
2024-05-07
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BMS電池管理系統(tǒng)中的磁性元件：這樣選，就對了！
在節(jié)能減碳的大背景下，全球能源結構正在發(fā)生深刻的變化，其中一個重要的標志就是，以鋰離子電池（以下簡稱鋰電池）為代表的儲能技術，將在未來的能源基礎設施中扮演著重要的角色。
2024-04-21
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科達嘉CSCF2918H系列大電流電感應用于大功率DC-DC電源
電力電子技術的不斷發(fā)展驅(qū)動電源轉(zhuǎn)換效率的持續(xù)提升。電感作為電源系統(tǒng)中的重要元件，其電氣性能影響著電源的安全可靠和轉(zhuǎn)換效率。通過選用優(yōu)質(zhì)的磁性元件材料，結合各種先進工藝和技術優(yōu)勢進行電感設計創(chuàng)新，可以不斷提升轉(zhuǎn)換效率。在選擇電感時，需要評估電感值、溫升和飽和電流等重要參數(shù)，以滿足電源系統(tǒng)高功率密度設計、高效率轉(zhuǎn)換需求。
2023-04-17
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Bang－bang 光伏穩(wěn)壓器無需磁性元件
光伏系統(tǒng)通常包括一種儲能方式——電池或超級電容器——在沒有陽光或電源瞬變期間為負載提供電力。但是，在可行的情況下，無存儲系統(tǒng)是具有更高 MTBF 的更環(huán)保的替代方案。
2023-03-29
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磁性元件在光伏中的功率轉(zhuǎn)換及應用（上）
經(jīng)過長期的技術發(fā)展——特別是在生態(tài)危機、化石能源困境等多個重大關鍵課題的刺激下，太陽能在以轉(zhuǎn)換效率和成本為核心的技術和商業(yè)兩方面的關鍵難點上取得了巨大突破。太陽能是可再生能源和可持續(xù)電力設施改造的關鍵形式、實現(xiàn)碳中和傳播的重要途徑，這不僅是全球共識，也是美國、歐盟等經(jīng)濟發(fā)達國家目前所處的實際情況。同時，中國也在出臺相應的政策指導方針，大幅增加光伏發(fā)電裝置的數(shù)量。為光伏發(fā)電系統(tǒng)選擇合適的磁性元件對于太陽能的進一步普及具有重要的意義。
2023-02-27
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先進碳化硅技術，有效助力儲能系統(tǒng)
人們普遍認識到，碳化硅（SiC）現(xiàn)在作為一種成熟的技術，在從瓦特到兆瓦功率范圍的很多應用中改變了電力行業(yè)，覆蓋工業(yè)、能源和汽車等眾多領域。這主要是由于它比以前的硅（Si）和絕緣柵雙極晶體管（IGBT）的應用具有更多優(yōu)勢，包括更高的開關頻率，更低的工作溫度，更高的電流和電壓容量，以及更低的損耗，進而可以實現(xiàn)更高的功率密度，可靠性和效率。得益于更低的溫度和更小的磁性元件，熱管理和電源組件現(xiàn)在尺寸更小，重量更輕，成本更低，從而降低了總 BOM 成本，同時也實現(xiàn)了更小的占用空間。
2022-12-22
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ADI公司陳寶興博士當選IEEE會士
中國，北京—ADI公司技術院士(Fellow)陳寶興博士憑借其在集成信號-功率隔離和集成磁性元件領域的突破性貢獻，當選為2022年度IEEE會士(IEEE Fellow)。IEEE會士是最高等級的IEEE會員，業(yè)界將其視為一項榮譽稱號，被認為是職業(yè)生涯中的重要成就。每一年的當選總?cè)藬?shù)不得超過總參與投票人數(shù)的千分之一。
2022-01-14
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利用C2000實時MCU提高GaN數(shù)字電源設計實用性
與碳化硅 (SiC)FET 和硅基FET 相比，氮化鎵 (GaN) 場效應晶體管 (FET) 可顯著降低開關損耗和提高功率密度。這些特性對于數(shù)字電源轉(zhuǎn)換器等高開關頻率應用大有裨益，可幫助減小磁性元件的尺寸。
2021-05-12
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送你一款面向高功率應用的開關電容電源
DC/DC 轉(zhuǎn)換器的功率密度通常受到體積龐大的磁性元件的限制，特別是在輸入和輸出電壓相對較高的應用中。通過提高開關頻率可以減小電感/變壓器的尺寸，但因開關切換引起的損耗也會造成轉(zhuǎn)換器效率降低。更好的方法是采用無電感開關電容電源（電荷泵）拓撲完全消除磁性元件。與傳統(tǒng)DC/C 電源相比，電荷泵可在不犧牲效率的情況下將功率密度提高 10 倍之多。飛跨電容代替了電感存儲能量并將其從輸入端傳遞到輸出端。盡管電荷泵設計具有優(yōu)勢，但由于啟動、保護、MOS管門極驅(qū)動等方面存在挑戰(zhàn)，開關電容電源歷來局限于低功率應用。
2021-04-06
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一文掌握 GaN 器件的直接驅(qū)動配置！
在設計開關模式電源時，主要品質(zhì)因數(shù)（FOM）包括成本、尺寸和效率。[1]這三個FOM是耦合型，需要考慮諸多因素。例如，增加開關頻率可減小磁性元件的尺寸和成本，但會增加磁性元件的損耗和功率器件中的開關損耗。由于GaN的寄生電容低且沒有二極管反向恢復，因此與MOSFET和IGBT相比，GaN HEMT具有顯著降低損耗的潛力。
2020-08-07
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