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鎧俠與閃迪發(fā)布下一代3D閃存技術(shù)，實現(xiàn)4.8Gb/s NAND接口速度
兩家公司在2025年國際固態(tài)電路會議上展示了這項3D閃存創(chuàng)新技術(shù)，它與公司突破性的CBA（CMOS directly Bonded to Array，外圍電路直接鍵合到存儲陣列）技術(shù)1相結(jié)合，采用最新的NAND閃存接口標(biāo)準(zhǔn)Toggle DDR6.0以及SCA（獨立命令地址）協(xié)議2（一種全新的接口命令地址輸入方式），同時還整合了PI-LTT（電源隔離低抽頭終端）技術(shù)3（在進一步降低功耗方面發(fā)揮了關(guān)鍵作用）。
2025-02-24
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漫談QLC其三：QLC NAND的主流應(yīng)用
前文所述，老四QLC在爭議中成長，已進入當(dāng)打之年，憑借性能、壽命、容量和價格極致性價比的特性，配合主控和固件糾錯能力和算法方案的日漸成熟，進入到消費級SSD和企業(yè)級SSD主戰(zhàn)場，如今市面上有多款已量產(chǎn)的消費級和企業(yè)級QLC SSD，進入商用。
2023-12-11
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漫談QLC其二：扛起NAND家族重任，老四QLC
今天，TLC依然為SSD/嵌入式存儲中的主力NAND顆粒，但QLC開始登上舞臺，發(fā)起挑戰(zhàn)，和2016年那時的自己相比，QLC實力大增。NAND家族，從老大SLC開始，到老二MLC和老三TLC，再到今天的老四QLC NAND，發(fā)揮自身優(yōu)勢，克服自身不足，一代代傳承下來，扛起家族事業(yè)的重任。
2023-11-30
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漫談QLC其一：QLC定義及應(yīng)用
目前，閃存增容的主要方式有兩種，其一是結(jié)構(gòu)上，由2D NAND到3D NAND，從平面到立體，實現(xiàn)閃存容量的提升，并隨著堆疊層數(shù)的增加優(yōu)化成本，繼而適應(yīng)市場需求；其二是邏輯上，提升存儲單元存儲的位數(shù)，即由僅能存儲1位數(shù)據(jù)的SLC，到存儲2位數(shù)據(jù)的MLC，直到如今能存儲4位數(shù)據(jù)的QLC，通過這種方式，提升閃存存儲容量優(yōu)化成本。
2023-11-28
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利用3D NAND克服工業(yè)數(shù)據(jù)存儲問題
隨著對新特性和功能需求的增加，大容量存儲在嵌入式工業(yè)應(yīng)用中的使用持續(xù)增長。雖然更復(fù)雜的GUI和應(yīng)用已經(jīng)通過增加NAND芯片容量而成為可能;更快的接口和各種托管NAND解決方案的可用性;尋找能夠應(yīng)對極端環(huán)境需求的足夠固態(tài)存儲解決方案的挑戰(zhàn)仍然存在。幸運的是，NAND存儲介質(zhì)和控制器設(shè)計的發(fā)展意味著現(xiàn)在有更可靠和更具成本效益的選擇。
2022-10-31
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ADALM2000實驗：TTL逆變器和NAND門
自20世紀(jì)60年代首次生產(chǎn)出集成邏輯門以來，各種數(shù)字邏輯電路技術(shù)層出不窮。本次實驗將研究晶體管-晶體管邏輯(TTL)電路逆變器（非門）和2輸入NAND門配置。
2022-10-20
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貿(mào)澤與ATP簽訂全球分銷協(xié)議，備貨其存儲和內(nèi)存解決方案
2022年7月21日 – 專注于引入新品的全球半導(dǎo)體和電子元器件授權(quán)分銷商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 宣布與ATP Electronics簽訂全球分銷協(xié)議。ATP Electronics是專業(yè)存儲和內(nèi)存解決方案的知名供應(yīng)商。簽訂協(xié)議后，貿(mào)澤將分銷ATP Electronics面向工業(yè)與汽車應(yīng)用的存儲卡、SSD和托管NAND設(shè)備。
2022-07-21
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KIOXIA鎧俠慶祝NAND閃存發(fā)明35周年
2022年4月25日，中國上海 — 20世紀(jì)90年代的MP3播放器與如今的智能手機有什么共同之處？如果沒有NAND閃存這一影響力貫穿幾十年的創(chuàng)新技術(shù)，這兩者都將不會存在。全球存儲器解決方案領(lǐng)導(dǎo)者KIOXIA鎧俠近日宣布，其已達成一座新的里程碑——2022年是公司發(fā)明NAND閃存的35周年。
2022-05-01
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適用于工業(yè)應(yīng)用的 NAND 閃存
如今，在 NAND 閃存行業(yè)中，隨處可見存儲密度又達到新高的各種新聞。閃存早已實現(xiàn)了 100 層以上的技術(shù)，并且在短期內(nèi)似乎并沒有遇到瓶頸的跡象。
2021-11-15
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威剛工控領(lǐng)先推出112層BiCS5 3D NAND固態(tài)硬盤
2021年7月22日 – 全球工業(yè)級嵌入式存儲領(lǐng)導(dǎo)品牌ADATA威剛科技(3260)，領(lǐng)先業(yè)界推出新一代112層堆棧BiCS5 3D NAND固態(tài)硬盤，以容量更高、效能更佳的優(yōu)勢，強力助攻5G、物聯(lián)網(wǎng)、AI(人工智能)、網(wǎng)通、服務(wù)器等應(yīng)用的發(fā)展！根據(jù)GSA報告顯示，截至2021年5月底，全球已有70國169家業(yè)者提供5G商用服務(wù)；隨著未來5G布建更加完整，與商用5G相關(guān)的智能物流、遠(yuǎn)程醫(yī)療、自動駕駛、安防監(jiān)控等應(yīng)用也將更為蓬勃。
2021-07-22
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美光率先于業(yè)界推出 1α DRAM 制程技術(shù)
2021年 1 月 27 日，中國上海 — 內(nèi)存與存儲解決方案領(lǐng)先供應(yīng)商 Micron Technology Inc. (美光科技股份有限公司，納斯達克股票代碼：MU) 今日宣布批量出貨基于 1α (1-alpha) 節(jié)點的 DRAM 產(chǎn)品。該制程是目前世界上最為先進的 DRAM 技術(shù)，在密度、功耗和性能等各方面均有重大突破。這是繼最近首推全球最快顯存和 176 層 NAND 產(chǎn)品后，美光實現(xiàn)的又一突破性里程碑，進一步加強了公司在業(yè)界的競爭力。
2021-01-27
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美光攜手聯(lián)想、聯(lián)寶科技成立聯(lián)合實驗室，加速開發(fā)下一代PC和筆記本電腦
2021年 1 月 25 日，中國上海 — 內(nèi)存與存儲解決方案領(lǐng)先供應(yīng)商 Micron Technology Inc. (美光科技股份有限公司，納斯達克股票代碼：MU) 今日宣布攜手聯(lián)想及聯(lián)寶科技 (聯(lián)想旗下最大的制造和研發(fā)機構(gòu)) 成立聯(lián)合實驗室。該實驗室是內(nèi)存和存儲業(yè)界首家同時聯(lián)合原始設(shè)計制造商 (ODM) 及原始設(shè)備制造商 (OEM) 的聯(lián)合實驗室。這種獨特的三方合作模式將加快美光的 DRAM 和 NAND 前沿創(chuàng)新技術(shù) (例如 GDDR6、LPDDR5、DDR5 和 PCIe 4.0 NVMe SSD) 在聯(lián)想產(chǎn)品設(shè)計中的應(yīng)用，從而更好地滿足用戶的核心工作負(fù)載需求。
2021-01-27
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