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具有0.001Ω極低阻值的2010尺寸新款電阻
Vishay推出新款Power Metal Strip電阻，該器件具有2010外形尺寸、2W功率等級和0.001Ω的極低阻值，并且能夠幫助工程師用盡可能小的電阻設(shè)計出高功率電路，用于更高性能的最終產(chǎn)品。
2012-12-21
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40V功率MOSFET：針對汽車電機驅(qū)動應(yīng)用
Vishay推出針對汽車電機驅(qū)動應(yīng)用的40V功率MOSFET，在10V和4.5V下實現(xiàn)了1.1mΩ和1.3mΩ的超低最大導(dǎo)通電阻，將傳導(dǎo)損耗最小化，并能在更低的溫度下工作。
2012-12-21
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Vishay推出新型8787尺寸的高電流電感器
Vishay公司近日推出采用8787外形尺寸的新款I(lǐng)HLP低外形、高電流電感器IHLP-8787MZ-5A，它具有9.7A～180A高額定電流，可在+150℃高溫下工作。該器件具有很高的效率，最大DCR為0.17mΩ～28.30mΩ，感值范圍0.22μH～100μH。
2012-12-19
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頻率范圍達1MHz的IHLP電感器：可用作電壓調(diào)節(jié)模塊
Vishay推出新款低外形、高電流電感——IHLP電感器，采用8787外形尺寸，額定電流達180A，可在+155℃高溫下工作，能夠很好地抵御熱沖擊、潮濕、機械沖擊和振動。將在2013年1季度實現(xiàn)量產(chǎn)。
2012-12-17
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耐潮、高精度匹配的車用MPMA精密配對電阻網(wǎng)絡(luò)
Vishay發(fā)布新款車用MPMA精密配對電阻網(wǎng)絡(luò),阻分壓器采用小尺寸表面貼裝SOT-23封裝并通過AEC-Q200認(rèn)證，具有±0.05%的嚴(yán)格比例容差和±2ppm/℃的TCR跟蹤。
2012-12-14
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20個電阻的精密MELF套件：電阻的精度達0.1%
Vishay推出新款精密樣品套件，方便易用的原型助手提供了MMA 0204和MMB 0207封裝的E96系列中四分之一器件的阻值，電阻的精度為0.1%，溫度系數(shù)為±25ppm/K。
2012-12-13
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高功率車用電機驅(qū)動的40V N溝道MOSFET
Vishay推出新款通過AEC-Q101認(rèn)證的40V N溝道TrenchFET功率MOSFET，改器件采用7腳D2PAK封裝并具有1.1mΩ的低導(dǎo)通電阻和200A的連續(xù)漏極電流，可在溫度范圍-55?C～+175?C下工作。
2012-12-11
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用于智能手機充電器的新款45V整流器，現(xiàn)已量產(chǎn)
Vishay發(fā)布采用SlimSMA封裝的新款45V TMBS Trench MOS勢壘肖特基整流器，高電流密度的器件具有5A正向電流和低至0.37V的VF。可在智能手機充電器等空間受限應(yīng)用的極性保護中減少功率損耗，并提高效率。
2012-12-07
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探測距離能超1米的接近傳感器，明年3月量產(chǎn)
Vishay推出集成了紅外發(fā)射器、光電二極管、信號處理IC和16位ADC的接近傳感器，器件采用4.85mm x 2.35mm x 0.83mm封裝，待機電流只有1.5μA，如使用集成的發(fā)射器驅(qū)動來驅(qū)動，探測距離可超過1米，同時可極大降低功耗。
2012-12-04
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0.8mm x 0.8mm封裝的芯片級功率MOSFET
Vishay推出采用業(yè)內(nèi)最小芯片級MICRO FOOT封裝的新款Vishay Siliconix功率MOSFET，器件具有0.8mm x 0.8mm封裝，在4.5V下導(dǎo)通電阻低至43m?，可使便攜式電子產(chǎn)品變得更薄、更輕。
2012-12-03
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Vishay推出具有ESD保護的600V標(biāo)準(zhǔn)整流器
Vishay近日宣布，推出新款通過AEC-Q101認(rèn)證并具有ESD保護的600V標(biāo)準(zhǔn)整流器SE20AFJ和SE30AFJ。該款高電流密度器件通過AEC-Q101認(rèn)證,具有高達3A的正向電流。
2012-11-23
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Vishay推出高功率電池分流電阻，容限為5.0%
Vishay發(fā)布高功率Power Metal Strip電池分流電阻，容限為5.0%，提供更準(zhǔn)確的數(shù)據(jù)來判定電池的充電和放電，幫助設(shè)計者滿足特定用戶對電池管理的要求。模塑外殼可簡化設(shè)計，降低解決方案的總成本。
2012-11-23
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