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鎧俠與閃迪發布下一代3D閃存技術，實現4.8Gb/s NAND接口速度
兩家公司在2025年國際固態電路會議上展示了這項3D閃存創新技術，它與公司突破性的CBA（CMOS directly Bonded to Array，外圍電路直接鍵合到存儲陣列）技術1相結合，采用最新的NAND閃存接口標準Toggle DDR6.0以及SCA（獨立命令地址）協議2（一種全新的接口命令地址輸入方式），同時還整合了PI-LTT（電源隔離低抽頭終端）技術3（在進一步降低功耗方面發揮了關鍵作用）。
2025-02-24
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漫談QLC其三：QLC NAND的主流應用
前文所述，老四QLC在爭議中成長，已進入當打之年，憑借性能、壽命、容量和價格極致性價比的特性，配合主控和固件糾錯能力和算法方案的日漸成熟，進入到消費級SSD和企業級SSD主戰場，如今市面上有多款已量產的消費級和企業級QLC SSD，進入商用。
2023-12-11
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漫談QLC其二：扛起NAND家族重任，老四QLC
今天，TLC依然為SSD/嵌入式存儲中的主力NAND顆粒，但QLC開始登上舞臺，發起挑戰，和2016年那時的自己相比，QLC實力大增。NAND家族，從老大SLC開始，到老二MLC和老三TLC，再到今天的老四QLC NAND，發揮自身優勢，克服自身不足，一代代傳承下來，扛起家族事業的重任。
2023-11-30
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漫談QLC其一：QLC定義及應用
目前，閃存增容的主要方式有兩種，其一是結構上，由2D NAND到3D NAND，從平面到立體，實現閃存容量的提升，并隨著堆疊層數的增加優化成本，繼而適應市場需求；其二是邏輯上，提升存儲單元存儲的位數，即由僅能存儲1位數據的SLC，到存儲2位數據的MLC，直到如今能存儲4位數據的QLC，通過這種方式，提升閃存存儲容量優化成本。
2023-11-28
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利用3D NAND克服工業數據存儲問題
隨著對新特性和功能需求的增加，大容量存儲在嵌入式工業應用中的使用持續增長。雖然更復雜的GUI和應用已經通過增加NAND芯片容量而成為可能;更快的接口和各種托管NAND解決方案的可用性;尋找能夠應對極端環境需求的足夠固態存儲解決方案的挑戰仍然存在。幸運的是，NAND存儲介質和控制器設計的發展意味著現在有更可靠和更具成本效益的選擇。
2022-10-31
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ADALM2000實驗：TTL逆變器和NAND門
自20世紀60年代首次生產出集成邏輯門以來，各種數字邏輯電路技術層出不窮。本次實驗將研究晶體管-晶體管邏輯(TTL)電路逆變器（非門）和2輸入NAND門配置。
2022-10-20
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貿澤與ATP簽訂全球分銷協議，備貨其存儲和內存解決方案
2022年7月21日 – 專注于引入新品的全球半導體和電子元器件授權分銷商貿澤電子 (Mouser Electronics) 宣布與ATP Electronics簽訂全球分銷協議。ATP Electronics是專業存儲和內存解決方案的知名供應商。簽訂協議后，貿澤將分銷ATP Electronics面向工業與汽車應用的存儲卡、SSD和托管NAND設備。
2022-07-21
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KIOXIA鎧俠慶祝NAND閃存發明35周年
2022年4月25日，中國上海 — 20世紀90年代的MP3播放器與如今的智能手機有什么共同之處？如果沒有NAND閃存這一影響力貫穿幾十年的創新技術，這兩者都將不會存在。全球存儲器解決方案領導者KIOXIA鎧俠近日宣布，其已達成一座新的里程碑——2022年是公司發明NAND閃存的35周年。
2022-05-01
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適用于工業應用的 NAND 閃存
如今，在 NAND 閃存行業中，隨處可見存儲密度又達到新高的各種新聞。閃存早已實現了 100 層以上的技術，并且在短期內似乎并沒有遇到瓶頸的跡象。
2021-11-15
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威剛工控領先推出112層BiCS5 3D NAND固態硬盤
2021年7月22日 – 全球工業級嵌入式存儲領導品牌ADATA威剛科技(3260)，領先業界推出新一代112層堆棧BiCS5 3D NAND固態硬盤，以容量更高、效能更佳的優勢，強力助攻5G、物聯網、AI(人工智能)、網通、服務器等應用的發展！根據GSA報告顯示，截至2021年5月底，全球已有70國169家業者提供5G商用服務；隨著未來5G布建更加完整，與商用5G相關的智能物流、遠程醫療、自動駕駛、安防監控等應用也將更為蓬勃。
2021-07-22
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美光率先于業界推出 1α DRAM 制程技術
2021年 1 月 27 日，中國上海 — 內存與存儲解決方案領先供應商 Micron Technology Inc. (美光科技股份有限公司，納斯達克股票代碼：MU) 今日宣布批量出貨基于 1α (1-alpha) 節點的 DRAM 產品。該制程是目前世界上最為先進的 DRAM 技術，在密度、功耗和性能等各方面均有重大突破。這是繼最近首推全球最快顯存和 176 層 NAND 產品后，美光實現的又一突破性里程碑，進一步加強了公司在業界的競爭力。
2021-01-27
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美光攜手聯想、聯寶科技成立聯合實驗室，加速開發下一代PC和筆記本電腦
2021年 1 月 25 日，中國上海 — 內存與存儲解決方案領先供應商 Micron Technology Inc. (美光科技股份有限公司，納斯達克股票代碼：MU) 今日宣布攜手聯想及聯寶科技 (聯想旗下最大的制造和研發機構) 成立聯合實驗室。該實驗室是內存和存儲業界首家同時聯合原始設計制造商 (ODM) 及原始設備制造商 (OEM) 的聯合實驗室。這種獨特的三方合作模式將加快美光的 DRAM 和 NAND 前沿創新技術 (例如 GDDR6、LPDDR5、DDR5 和 PCIe 4.0 NVMe SSD) 在聯想產品設計中的應用，從而更好地滿足用戶的核心工作負載需求。
2021-01-27
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