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我的熱插拔控制器電路為何會振蕩?
使用高端N溝道MOSFET (NFET)的熱插拔控制器,浪涌抑制器、電子保險絲和理想二極管控制器,在啟動和電壓/電流調節期間可能會發生振蕩。數據手冊通常會簡要提到這個問題,并建議添加一個小柵極電阻來解決。然而,如果不清楚振蕩的根本原因,設計人員就可能難以在布局中妥善放置柵極電阻,使電路容易受...
2024-11-04
熱插拔 控制器電路 振蕩
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為惡劣工業環境中的以太網安裝保駕護航
如今,“工業以太網”一詞使用非常頻繁,以至于人們很容易混淆,并開始認為它一定與消費和計算設備中使用的以太網有所不同。本博文旨在回顧這種網絡技術的演變,并解釋消費以太網和工業以太網的區別。本文還介紹Nexperia的一系列器件,這些器件可用于保護以太網網絡免受靜電放電(ESD)的破壞性影響,無...
2024-11-04
以太網 工業環境
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第8講:SiC外延生長技術
SiC外延生長技術是SiC功率器件制備的核心技術之一,外延質量直接影響SiC器件的性能。目前應用較多的SiC外延生長方法是化學氣相沉積(CVD),本文簡要介紹其生產過程及注意事項。
2024-11-04
SiC 外延生長技術
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二極管的單向導電性和伏安特性曲線說明
二極管的正、反向特性與生活中的開門類似:當你從室外推門(門是室內開的)時,如果力很小,門是推不開的,只有力氣較大時,門才能被推開,這與二極管加正向電壓,只有達到門電壓才能導通相似;當你從室內往外推門時,是很難推開的,但如果推門的力氣非常大,門也會被推開,不過門被開的同時一般也就損壞...
2024-11-04
二極管 向導電性 伏安特性
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如何使用GaNFET設計四開關降壓-升壓DC-DC轉換器?
在不斷追求減小電路板尺寸和提高效率的征途中,氮化鎵場效應晶體管(GaNFET)功率器件已成為破解目前難題的理想選擇。GaN是一項新興技術,有望進一步提高功率、開關速度以及降低開關損耗。這些優勢讓功率密度更高的解決方案成為可能。
2024-11-04
GaNFET DC-DC轉換器 降壓 升壓
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優化SPI驅動程序的幾種不同方法
隨著技術的進步,低功耗物聯網(IoT)和邊緣/云計算需要更精確的數據傳輸。圖1展示的無線監測系統是一個帶有24位模數轉換器(ADC)的高精度數據采集系統。在此我們通常會遇到這樣一個問題,即微控制單元(MCU)能否為數據轉換器提供高速的串行接口。
2024-11-01
SPI驅動程序
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匯聚智造大咖,共探智能工業未來 AMTS & AHTE SOUTH CHINA 2024亮點全揭秘!
倒計時兩天!備受矚目的AMTS & AHTE South China 2024即將于2024年11月6日在深圳國際會展中心(寶安新館)盛大開幕!為期三天,六展聯袂,3,500+展商,140,000㎡面積,15萬+觀眾,邀您一同解鎖這場華南地區汽車技術、工程及工業裝配行業盛宴!
2024-11-01
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