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技術文章

我的熱插拔控制器電路為何會振蕩？

使用高端N溝道MOSFET (NFET)的熱插拔控制器，浪涌抑制器、電子保險絲和理想二極管控制器，在啟動和電壓/電流調節期間可能會發生振蕩。數據手冊通常會簡要提到這個問題，并建議添加一個小柵極電阻來解決。然而，如果不清楚振蕩的根本原因，設計人員就可能難以在布局中妥善放置柵極電阻，使電路容易受...

2024-11-04

熱插拔控制器電路振蕩

如今，“工業以太網”一詞使用非常頻繁，以至于人們很容易混淆，并開始認為它一定與消費和計算設備中使用的以太網有所不同。本博文旨在回顧這種網絡技術的演變，并解釋消費以太網和工業以太網的區別。本文還介紹Nexperia的一系列器件，這些器件可用于保護以太網網絡免受靜電放電(ESD)的破壞性影響，無...

2024-11-04

以太網工業環境

SiC外延生長技術是SiC功率器件制備的核心技術之一，外延質量直接影響SiC器件的性能。目前應用較多的SiC外延生長方法是化學氣相沉積（CVD），本文簡要介紹其生產過程及注意事項。

2024-11-04

SiC 外延生長技術

二極管的正、反向特性與生活中的開門類似:當你從室外推門(門是室內開的)時，如果力很小，門是推不開的，只有力氣較大時，門才能被推開，這與二極管加正向電壓,只有達到門電壓才能導通相似;當你從室內往外推門時，是很難推開的，但如果推門的力氣非常大，門也會被推開，不過門被開的同時一般也就損壞...

2024-11-04

二極管向導電性伏安特性

在不斷追求減小電路板尺寸和提高效率的征途中，氮化鎵場效應晶體管(GaNFET)功率器件已成為破解目前難題的理想選擇。GaN是一項新興技術，有望進一步提高功率、開關速度以及降低開關損耗。這些優勢讓功率密度更高的解決方案成為可能。

2024-11-04

GaNFET DC－DC轉換器降壓升壓

隨著技術的進步，低功耗物聯網(IoT)和邊緣/云計算需要更精確的數據傳輸。圖1展示的無線監測系統是一個帶有24位模數轉換器(ADC)的高精度數據采集系統。在此我們通常會遇到這樣一個問題，即微控制單元(MCU)能否為數據轉換器提供高速的串行接口。

2024-11-01

SPI驅動程序

倒計時兩天！備受矚目的AMTS & AHTE South China 2024即將于2024年11月6日在深圳國際會展中心（寶安新館）盛大開幕！為期三天，六展聯袂，3,500+展商，140,000㎡面積，15萬+觀眾，邀您一同解鎖這場華南地區汽車技術、工程及工業裝配行業盛宴！

2024-11-01

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