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【測試解讀】ESD保護設計中的傳輸線脈沖TLP，怎么測？
隨著電子器件在汽車和其他產品上的應用越來越廣泛（智能化），芯片的集成度也越來越高、體形也越來越小、研發的難度也越來越高，這些器件通常具有線間距短、線細、集成度高、運算速度快、功耗低和高輸入阻抗的特點，這也導致了這類器件對靜電的要求越來越高。
2024-03-27
測試 ESD保護 脈沖TLP
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數字示波器的DSO體系結構及功能
數字存儲示波器（通常稱為 DSO）是為了彌補模擬示波器的諸多不足而發明的。 DSO 輸入一個信號，并通過模數轉換器將其數字化。圖 顯示了是德科技數字示波器采用的一種 DSO 體系結構。
2024-03-27
數字示波器的 DSO 體系結構
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GaAs 二極管在高性能功率轉換中的作用
高壓硅二極管具有較低的正向傳導壓降，但由于其反向恢復行為，會在功率轉換器中產生顯著的動態損耗。SiC 二極管表現出可忽略不計的反向恢復行為，但確實表現出比硅更高的體電容和更大的正向傳導壓降。由于 GaAs 技術能夠提供硅和 SiC 的有用特性，本文探討了一項比較 10kW、100kHz 相移全橋 (PSFB) ...
2024-03-26
GaAs 二極管 功率轉換
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為何在RF設計中理解波反射非常重要？
在低頻下工作的普通電路與針對RF頻率設計的電路之間的關鍵區別在于它們的電氣尺寸。RF設計可采用多種波長的尺寸，導致電壓和電流的大小和相位隨元件的物理尺寸而變化。這為RF電路的設計和分析提供了一些基礎的核心原理特性。
2024-03-26
RF設計 波反射
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意法半導體突破20納米技術節點，提升新一代微控制器的成本競爭力
服務多重電子應用領域、全球排名前列的半導體公司意法半導體(STMicroelectronics,簡稱ST;紐約證券交易所代碼:STM)發布了一項基于 18 納米全耗盡絕緣體上硅(FD-SOI) 技術并整合嵌入式相變存儲器 (ePCM)的先進制造工藝，支持下一代嵌入式處理器升級進化。這項新工藝技術是意法半導體和三星晶圓代工廠...
2024-03-26
意法半導體 納米技術 微控制器
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意法半導體2024年股東大會議案公告
服務多重電子應用領域、全球排名前列的半導體公司意法半導體(STMicroelectronics,簡稱ST;紐約證券交易所代碼:STM)，公布了擬在2024年5月22日荷蘭阿姆斯特丹舉行的公司年度股東大會(AGM)上審議批準的議案。
2024-03-26
意法半導體
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集成運放的使用
目前集成運放的常見封裝方式有金屬殼封裝和雙列直插式封裝，外形如圖3.7.1 所示，以后者居多。雙列直插式有8、10、12、14、16 管腳等種類，雖然它們的外引線排列日趨標準化，但各制造廠仍略有區別。因此，使用運放前必須查閱有關手冊，辨認管腳，以便正確連線。
2024-03-25
集成運放
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