【導讀】SiC能夠以高頻器件結構的SBD（肖特基勢壘二極管）結構得到600V以上的高耐壓二極管（Si的SBD最高耐壓為200V左右）。
1.器件結構和特征
SiC能夠以高頻器件結構的SBD（肖特基勢壘二極管）結構得到600V以上的高耐壓二極管（Si的SBD最高耐壓為200V左右）。
因此，如果用SiC-SBD替換現(xiàn)在主流產(chǎn)品快速PN結二極管（FRD:快速恢復二極管），能夠明顯減少恢復損耗。
有利于電源的高效率化，并且通過高頻驅動實現(xiàn)電感等無源器件的小型化，而且可以降噪。廣泛應用于空調(diào)、電源、光伏發(fā)電系統(tǒng)中的功率調(diào)節(jié)器、電動汽車的快速充電器等的功率因數(shù)校正電路（PFC電路）和整流橋電路中。
2. SiC-SBD的正向特性
SiC-SBD的開啟電壓與Si-FRD相同，小于1V。
開啟電壓由肖特基勢壘的勢壘高度決定，通常如果將勢壘高度設計得低，開啟電壓也可以做得低一些，但是這也將導致反向偏壓時的漏電流增大。
ROHM的第二代SBD通過改進制造工藝，成功地使漏電流和恢復性能保持與舊產(chǎn)品相等，而開啟電壓降低了約0.15V。
SiC-SBD的溫度依存性與Si-FRD不同，溫度越高，它的導通阻抗就會增加，從而VF值也增加。
不易發(fā)生熱失控，所以可以放心地并聯(lián)使用。
3. SiC-SBD的恢復特性
Si的快速PN結二極管（FRD:快速恢復二極管）在從正向切換到反向的瞬間會產(chǎn)生極大的瞬態(tài)電流，在此期間轉移為反向偏壓狀態(tài)，從而產(chǎn)生很大的損耗。
這是因為正向通電時積聚在漂移層內(nèi)的少數(shù)載流子不斷地進行電傳導直到消亡（該時間也稱為積聚時間）。
正向電流越大，或者溫度越高，恢復時間和恢復電流就越大，從而損耗也越大。
與此相反，SiC-SBD是不使用少數(shù)載流子進行電傳導的多數(shù)載流子器件（單極性器件），因此原理上不會發(fā)生少數(shù)載流子積聚的現(xiàn)象。由于只產(chǎn)生使結電容放電程度的小電流，所以與Si-FRD相比，能夠明顯地減少損耗。
而且，該瞬態(tài)電流基本上不隨溫度和正向電流而變化，所以不管何種環(huán)境下，都能夠穩(wěn)定地實現(xiàn)快速恢復。
另外，還可以降低由恢復電流引起的噪音，達到降噪的效果。
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