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帶降噪端子的電壓基準(zhǔn) IC
一些電壓基準(zhǔn)具有專用的降噪端子。這些端子可用于過濾基準(zhǔn)的噪聲并實(shí)現(xiàn)更高的性能。然而，應(yīng)該注意的是，此類中的每個(gè)電壓基準(zhǔn)可能需要不同的電路來實(shí)現(xiàn)噪聲過濾。沒有一種解決方案適用于所有這些電壓基準(zhǔn)。因此，在做任何事情之前，應(yīng)該徹底研究設(shè)備數(shù)據(jù)表，以獲取有關(guān)此主題的任何明確信息。
2023-08-07
帶降噪端子 電壓基準(zhǔn) IC
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安森美NCP1345用于離線 USB-PD 和 USB Type-C 電源轉(zhuǎn)換器的高度集成準(zhǔn)諧振反激式方案
NCP1345 是一款高度集成的準(zhǔn)諧振反激式控制器，適用于設(shè)計(jì)高性能離線 USB-PD 和 USB Type-C 電源轉(zhuǎn)換器。 包含的雙引腳 VCC 架構(gòu)允許直接連接到輔助繞組，以簡化 VCC 管理，同時(shí)減少零件數(shù)量并提高性能。
2023-08-06
安森美 USB-PD USB Type-C 電源轉(zhuǎn)換器 準(zhǔn)諧振反激式
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了解7805 IC電壓調(diào)節(jié)器
在本教程中，我們將了解最常用的穩(wěn)壓集成電路之一--7805 穩(wěn)壓集成電路。穩(wěn)壓電源對于一些電子設(shè)備來說非常重要，因?yàn)檫@些設(shè)備采用的半導(dǎo)體材料具有固定的電流和電壓率。如果偏離固定速率，設(shè)備可能會(huì)損壞。
2023-08-06
7805 IC 電壓調(diào)節(jié)器
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有源音頻交叉電路
音頻分頻器是音頻應(yīng)用中的一種電子濾波器，用于向揚(yáng)聲器或驅(qū)動(dòng)器發(fā)送適當(dāng)?shù)男盘?hào)。大多數(shù)揚(yáng)聲器驅(qū)動(dòng)器無法覆蓋從低頻到高頻的整個(gè)音頻頻譜而不失真，因此大多數(shù)揚(yáng)聲器系統(tǒng)使用多個(gè)揚(yáng)聲器驅(qū)動(dòng)器的組合，每個(gè)驅(qū)動(dòng)器與單獨(dú)的頻段相關(guān)。分頻電路將音頻信號(hào)分成不同的頻段，然后分別傳送到揚(yáng)聲器。
2023-08-06
有源音頻 交叉電路
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如何對數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器進(jìn)行建模以進(jìn)行系統(tǒng)仿真？
對于誤碼率 (BER) 模擬，將發(fā)現(xiàn)的誤碼數(shù)除以總位數(shù)來計(jì)算 BER。對于統(tǒng)計(jì)上顯著的結(jié)果，應(yīng)該計(jì)算數(shù)百到一千個(gè)錯(cuò)誤。即使 BER 相當(dāng)高（10-4）；計(jì)算 500 個(gè)錯(cuò)誤需要 500 萬位。為了使仿真在合理的短時(shí)間內(nèi)運(yùn)行，必須找到一個(gè)相當(dāng)簡單的模型，該模型能夠充分捕獲所有相關(guān)的數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器特性。
2023-08-03
數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器 建模 系統(tǒng)仿真
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了解開關(guān)模式調(diào)節(jié)：降壓轉(zhuǎn)換器
對于電源目的而言，僅電感器電流就會(huì)產(chǎn)生太多紋波。然而，電感器與輸出電容器一起工作，提供足夠的濾波，以實(shí)現(xiàn)您在圖中看到的穩(wěn)定、低紋波負(fù)載電流。請注意，負(fù)載電流是電感電流的平均值。
2023-08-03
開關(guān)模式調(diào)節(jié) 降壓轉(zhuǎn)換器
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控制電機(jī)控制器的微控制器
您可能已經(jīng)在框圖中注意到 EFM8 似乎由 DC/DC 轉(zhuǎn)換器的 5 V 供電。但實(shí)際上，EFM8 有一個(gè)集成的線性穩(wěn)壓器，可接受 5 V 輸入并生成 3.3 V 電壓供自身使用和外部電路使用。J2 是一個(gè)三針接頭，允許用戶通過 DC/DC 轉(zhuǎn)換器或 USB 連接提供的 5 V 電壓為 EFM8 供電。
2023-08-03
控制 電機(jī)控制器 微控制器
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使用SiC MOSFET和Si IGBT柵極驅(qū)動(dòng)優(yōu)化電源系統(tǒng)
在電動(dòng)汽車 (EV) 和光伏 (PV) 系統(tǒng)等綠色能源應(yīng)用所需的 DC-DC 轉(zhuǎn)換器、電池充電器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和交流 (AC) 逆變器中，碳化硅 (SiC) MOSFET 和硅 (Si) IGBT 是關(guān)鍵元件。但是如要獲得最高的效率，SiC MOSFET 和 Si IGBT 的柵極在導(dǎo)通和關(guān)斷時(shí)需要精確的驅(qū)動(dòng)電壓（具體取決于所使用的器件）。
2023-08-03
SiC MOSFET Si IGBT 柵極驅(qū)動(dòng) 電源系統(tǒng)
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利用智能交流控制設(shè)計(jì)方法實(shí)現(xiàn)更好的家電安全
從機(jī)電到數(shù)字控制的轉(zhuǎn)變首先是通過現(xiàn)成的電子設(shè)備完成的——系統(tǒng)架構(gòu)是圍繞 MCU、分立晶體管和高壓雙向可控硅構(gòu)建的。
2023-07-31
智能交流 控制設(shè)計(jì)
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