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IDT3C02:IDT 推出全硅 CMOS 振蕩器適用于數據通信設備

發布時間:2010-11-11 來源:IDT

IDT3C02的產品特性:this is a picture!
  • 100ppm 的總頻率誤差
  • 支持標準CMOS 工藝
  • 獨特的模擬核設計
  • 具有 200nA的低功耗待機模式
  • 100μs的快速啟動時間
IDT3C02的應用范圍:
  • 適合服務器和企業設計
  • 適合采用以太網端口的數據通信設備


致力于豐富數字媒體體驗、提供領先的混合信號半導體解決方案供應商 IDT® 公司(Integrated Device Technology, Inc.)宣布,推出業界精度最高的全硅 CMOS 振蕩器,在整個溫度、電壓和其他因數方面實現了行業領先的 100ppm 總頻率誤差。
   
IDT3C02 振蕩器采用 IDT 專利的 CMOS 振蕩器技術,可以用一個 100ppm 及以下頻率精度的單片 CMOS IC 取代基于石英晶體的振蕩器,并采用非常薄的外形,而無需使用任何機械頻率源或鎖相環(PLL)。該產品專門用于下一代存儲、數據通信和連接接口,如千兆以太網、SAS、超高速 USB(USB 3.0)和 PCI Express。該產品是通用石英晶體振蕩器的一種低功耗、低抖動替代方案,因此非常適合服務器和企業設計,以及采用以太網端口的數據通信設備。
   
IDT 通信事業部副總裁兼總經理 Fred Zust 表示:“憑借其 100ppm 的總頻率誤差,IDT3C02不愧為計時行業的一個重大突破。作為一個晶振替代品的理想選擇,它擴展了今年早些時候發布的晶圓形式全硅 CMOS 振蕩器,擴展了 IDT 在計時領域的領導地位。”
   
IDT3C02 振蕩器可產生高精度的片上頻率,而無需依賴壓電或機械諧振器。該器件支持標準的現成可用的 CMOS 工藝,采用了可編程架構,支持各種配置選項,以適應廣泛的應用范圍。也許這些選項中最為關鍵的是工廠可編程的工作頻率,與傳統的石英解決方案相比,有助于縮短交貨時間,包括特殊或罕見的頻率。
   
此外,IDT3C02 振蕩器采用一個獨特的模擬核設計,其功耗低于 2.5mA(空載典型值),從而為基于石英和 PLL 的高頻率振蕩器提供了一種低功耗替代方案,同時在 1MHz 載波偏移條件下實現了一流的 -140dBc/Hz 的相位噪聲。該器件采用業界標準的 5×3.2mm 石英晶體兼容封裝,即低成本、低高度的 MSL1 塑料 IC 封裝,無需陶瓷密封的封裝。
   
IDT3C02 還具有 200nA(典型值)的低功耗待機模式,以及 100μs(典型值)的快速啟動時間。這些功能組合使該器件非常適合功率敏感的設計,允許頻繁的開關電源以進一步節省功耗。由于該器件不包含任何運動元件,且不使用機械或壓電電子諧振來產生電子頻率,全硅的單片方案實現了優良的耐沖擊和振動能力。

供貨情況
IDT3C02 目前已向合格客戶提供樣品,采用的是 5×3.2mm 封裝。
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