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電驅逆變器SiC功率模塊芯片級熱分析
本文提出一個用尺寸緊湊、高成本效益的DC/AC逆變器分析碳化硅功率模塊內并聯(lián)裸片之間的熱失衡問題的解決方案，該分析方法是采用紅外熱像儀直接測量每顆裸片在連續(xù)工作時的溫度，分析兩個電驅逆變模塊驗證，該測溫系統(tǒng)的驗證方法是，根據(jù)柵源電壓閾值選擇每個模塊內的裸片。我們將從實驗數(shù)據(jù)中提取一...
2024-06-12
電驅逆變器 SiC 功率模塊 芯片
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如何找到一款更適合高壓BMS解決方案？
電動汽車的電池管理系統(tǒng)（BMS）是電動汽車中用于監(jiān)測和管理電池系統(tǒng)性能的關鍵組件，它有助于平衡電池電量，防止過度充電和過度放電，從而確保鋰離子電池的安全、可靠和有效運行，同時優(yōu)化電池的整體效率和壽命。
2024-06-11
高壓BMS
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MOSFET器件的高壓CV測試詳解
MOSFET、IGBT和BJT等半導體器件的開關速度受到元件本身的電容的影響。為了滿足電路的效率，設計者需要知道這些參數(shù)。例如，設計一個高效的開關電源將要求設計者知道設備的電容，因為這將影響開關速度，從而影響效率。這些信息通常在MOSFET的指標說明書中提供。
2024-06-08
MOSFET 器件 高壓CV IGBT BJT
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單相光伏并網(wǎng)系統(tǒng)的拓撲結構簡介
在單相小功率光伏并網(wǎng)系統(tǒng)中，有隔離型和非隔離型兩種拓撲結構。隔離型有成本高、體積大等諸多缺點，因此非隔離型成為目前主流的拓撲結構，本文主要介紹非隔離型的全橋以及HERIC兩種較為常用的拓撲結構。
2024-06-08
單相光伏 并網(wǎng)系統(tǒng) 拓撲結構
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創(chuàng)新音頻解決方案：類比半導體的國產中大功率功放技術
上海類比半導體技術有限公司（以下簡稱“類比半導體”或“類比”）作為國內領先的模擬及數(shù)模混合芯片設計商，正通過其創(chuàng)新的中大功率模擬/數(shù)字功放技術，重塑消費電子市場中高端音頻產品的技術標準。隨著國產半導體產業(yè)的快速崛起，類比半導體基于其17年功放研發(fā)經驗的團隊，另辟賽道，專注中大功率模擬...
2024-06-08
音頻 類比半導體 大功率功放
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運用雙MOSFET避免SEU的影響
很久很久以前，在一個遙遠的星系中，有某個東西突然間爆炸了。其造成的結果是亞原子物質的爆發(fā)，而其中的一些物質最終在我們這里找到了出路。
2024-06-08
雙MOSFET SEU
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“固本強基”成效顯著，元器件、設備企業(yè)積極報名第104屆中國電子展
元器件和設備制造是電子信息產業(yè)的底座，底座牢不牢固，決定著整個產業(yè)能否真正行穩(wěn)致遠。在過去的2023年當中，雖然依舊面臨著多重風險與挑戰(zhàn)，但我國電子信息行業(yè)產業(yè)鏈、供應鏈韌性顯著增強，進一步提升了整個行業(yè)的安全水平，也為整個國民經濟積極發(fā)揮了“壓艙石”“倍增器”“催化劑”的重要作用。
2024-06-07
元器件 設備 中國電子展
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跨電感電壓調節(jié)器的多相設計、決策和權衡
最近推出的跨電感電壓調節(jié)器(TLVR)在多相DC-DC應用中頗受歡迎，這些應用為CPU、GPU和ASIC等低壓大電流負載供電。這一趨勢主要基于該技術出色的瞬態(tài)性能。TLVR還支持靈活的設計和布局，但有幾個缺點。本文闡述了TLVR設計選擇如何影響性能參數(shù)，并討論了相關權衡。
2024-06-06
跨電感 電壓調節(jié)器
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SiC MOSFET：通過波形的線性近似分割來計算損耗的方法
本文將介紹根據(jù)在上一篇文章中測得的開關波形，使用線性近似法來計算功率損耗的方法。
2024-06-06
SiC MOSFET 線性近似分割 波形
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