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EA電池模擬器：重構(gòu)電池研發(fā)全流程的技術(shù)引擎
在新能源產(chǎn)業(yè)爆發(fā)式增長的背景下，電池技術(shù)已成為制約電動汽車?yán)m(xù)航里程、消費電子產(chǎn)品體驗、可再生能源儲能效率的關(guān)鍵瓶頸。傳統(tǒng)電池研發(fā)模式依賴大量物理原型迭代，不僅面臨周期長、成本高的挑戰(zhàn)，更難以覆蓋極端工況下的性能驗證。EA電池模擬器的出現(xiàn)，通過構(gòu)建電池的數(shù)字孿生模型，為工程師提供...
2025-06-25
EA電池模擬器 電池仿真技術(shù) 雙向直流電源 電池內(nèi)阻測試 電池模擬軟件
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安森美SiC技術(shù)賦能AI數(shù)據(jù)中心，助力高能效電源方案
緊跟人工智能的算力步伐，全球數(shù)據(jù)中心正面臨前所未有的能耗挑戰(zhàn)。面對大模型訓(xùn)練、實時推理等場景帶來的指數(shù)級能耗增長，全球領(lǐng)先的智能電源與感知技術(shù)供應(yīng)商安森美（onsemi）正式推出《AI數(shù)據(jù)中心系統(tǒng)方案指南》，首次系統(tǒng)性展示其基于尖端碳化硅（SiC）技術(shù)的全鏈路電源解決方案，為下一代超算中...
2025-06-25
安森美 碳化硅 數(shù)據(jù)中心電源 AI服務(wù)器供電方案 SiC技術(shù) 數(shù)據(jù)中心能效提升 系統(tǒng)方案指南
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破局電動車?yán)m(xù)航！羅姆第4代SiC MOSFET驅(qū)動助力豐田bZ5性能躍遷
全球知名半導(dǎo)體制造商羅姆（總部位于日本京都市）今日宣布，搭載了羅姆第4代SiC MOSFET裸芯片的功率模塊，已應(yīng)用于豐田汽車公司（TOYOTA MOTOR CORPORATION.，以下簡稱“豐田”）面向中國市場的全新跨界純電動汽車（BEV)“bZ5”的牽引逆變器中。
2025-06-24
羅姆 豐田bZ5 電驅(qū)技術(shù) 第四代SiC MOSFET 車規(guī)級碳化硅模塊 電動車牽引逆變器
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羅姆助力英偉達(dá)800V HVDC重塑AI數(shù)據(jù)中心能源架構(gòu)
隨著人工智能算力需求爆發(fā)性增長的浪潮下，支撐其運行的底層能源架構(gòu)正經(jīng)歷顛覆性升級。羅姆（ROHM） 以其先進(jìn)的功率半導(dǎo)體技術(shù)，成為英偉達(dá)（NVIDIA） 全新800V高壓直流（HVDC）數(shù)據(jù)中心供電架構(gòu)的核心方案提供者。這一合作聚焦于提升兆瓦級AI工廠的能量轉(zhuǎn)換效率與功率密度，為下一代超大規(guī)模計算...
2025-06-23
羅姆 英偉達(dá) 800V HVDC NVIDIA 800V 電源方案 AI數(shù)據(jù)中心電源
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高壓BMS：電池儲能系統(tǒng)的安全守護(hù)者與壽命延長引擎
在能源轉(zhuǎn)型的浪潮中，電池儲能系統(tǒng)（BESS）已成為住宅、商業(yè)、工業(yè)和電網(wǎng)級應(yīng)用的核心基礎(chǔ)設(shè)施。而高達(dá)數(shù)百伏甚至上千伏的高壓電池系統(tǒng)，因其能量密度高、系統(tǒng)效率高、電流損耗小的優(yōu)勢，正成為大規(guī)模儲能的主流選擇。然而，高壓意味著高風(fēng)險，也對電池管理提出了前所未有的挑戰(zhàn)。高壓電池管理系統(tǒng)...
2025-06-20
高壓BMS 電池管理系統(tǒng) 電池儲能系統(tǒng) 電池安全 電池健康狀態(tài)SOH
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破解工業(yè)電池充電器難題：升壓or圖騰柱？SiC PFC拓?fù)溥x擇策略
工業(yè)設(shè)備電動化浪潮下，電池充電器面臨嚴(yán)苛挑戰(zhàn)：需兼容120-480V寬壓輸入，在震動/粉塵/溫變等惡劣條件下實現(xiàn)高效供電，同時滿足尺寸重量極限壓縮與無風(fēng)扇散熱需求。本文聚焦PFC級核心設(shè)計，對比升壓與圖騰柱拓?fù)涞膶崙?zhàn)優(yōu)劣，解析SiC MOSFET如何重構(gòu)工業(yè)充電器性能邊界。
2025-06-19
工業(yè)電池充電器 PFC拓?fù)鋵Ρ?nbsp; 升壓PFC 圖騰柱PFC SiC MOSFET應(yīng)用
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高頻時代的電源革命：GaN技術(shù)如何顛覆傳統(tǒng)開關(guān)電源架構(gòu)？
在電力電子系統(tǒng)對能效和功率密度要求日益嚴(yán)苛的背景下，氮化鎵（GaN）技術(shù)已成為推動開關(guān)模式電源（SMPS）發(fā)展的核心動力。相較于傳統(tǒng)硅基器件，GaN憑借其3.4eV的寬禁帶特性、更高的電子遷移率（990-2000 cm2/V·s）及更低的導(dǎo)通電阻（RDS(ON)），可將開關(guān)頻率提升至兆赫級，同時減少30%...
2025-06-09
電力電子系統(tǒng) 氮化鎵 GaN 開關(guān)模式電源
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薄膜電容在新能源領(lǐng)域的未來發(fā)展趨勢：技術(shù)革新與市場機(jī)遇
隨著全球能源轉(zhuǎn)型加速，新能源產(chǎn)業(yè)（光伏、風(fēng)電、儲能、電動汽車等）的爆發(fā)式增長，對薄膜電容的需求持續(xù)攀升。薄膜電容憑借其高耐壓、低損耗、長壽命等特性，成為新能源設(shè)備中不可或缺的核心元件。未來，其發(fā)展將圍繞材料創(chuàng)新、高功率密度設(shè)計、智能化集成等方向展開，同時面臨成本優(yōu)化與環(huán)保升級...
2025-06-05
薄膜電容
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Spectrum儀器推出帶寬高達(dá)3.9 GHz的全新旗艦任意波形發(fā)生器
Spectrum儀器公司今日宣布推出四款高性能任意波形發(fā)生器（AWG），這也成為了公司發(fā)展的重要里程碑。新產(chǎn)品的輸出速率高達(dá)10GS/s，垂直分辨率為16位，帶寬最高更是可達(dá)3.9GHz，為射頻（RF）與微波信號生成提供了可靠的保障。
2025-06-04
Spectrum儀器
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