- DRF1400在輸出功率為1kW時效率優于92%
- 內部集成了RF驅動器，可以簡化驅動級設計
- 采用具有高效散熱性能的專有封裝，能夠提供高達1.4 kW的輸出功率
- 工業、科學和醫療領域的RF發生器中
美高森美公司(Microsemi Corporation) 宣布擴展其RF功率產品線，推出了DRF1400功率MOSFET。該產品非常適合在廣泛的工業、科學和醫療(ISM) 領域的RF發生器中使用，例如用于半導體、LCD和太陽能電池制造的等離子生成，以及工作頻率高達30 MHz 的CO2激光器。
美高森美的DRF系列是將RF柵極驅動器、RF功率MOSFET和相關旁路電容器集中封裝在一個高效熱性能封裝的產品。DRF1400是美高森美首款采用半橋拓撲結構的器件，在輸出功率為1kW時效率優于92%，此外，較低的寄生電容和電感，以及施密特(Schmitt)觸發器輸入、開爾文(Kelvin)信號地線、防振鈴功能、反相和同相(non-invert)引腳可選擇等附屬功能，為kW到數千瓦的高頻ISM的應用提供了高穩定性和靈活的控制功能，高集成度還可縮減材料清單(bill-of-material)元件數目和降低成本。其它特點包括：
• 內部集成了RF驅動器，可以簡化驅動級設計，允許輸入簡單的邏輯信號；
• 內部的旁路電容器，可以減少寄生電感并能保證電源電壓的穩定；
• 采用高擊穿電壓(500V) MOSFET，通過半橋拓撲實現較高的功率輸出；
• 采用具有高效散熱性能的專有封裝，能夠提供高達1.4 kW的輸出功率。
供貨
美高森美現可提供DRF1400的工程樣品。與之相關的參考設計套件(13.56 MHz, Class-D半橋)可從美高森美購買，套件包括了快速推出>1kW的RF功率設計所需的所有硬件，同時還為RF系統設計人員提供了包含有基礎操作知識和設計考慮事項的設計指南。
