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Freescale推出3款功率晶體管滿足Doherty放大器體系結(jié)構(gòu)的特殊要求
飛思卡爾半導(dǎo)體推出3款新型RF LDMOS功率晶體管，提供在無線基站收發(fā)器里使用Doherty多載波功率放大器（MCPA）要求的超高輸出電平。
2010-10-08
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GaAs功率放大器出貨旺盛，ANADIGICS全力擴產(chǎn)抓商機
隨著市場景氣程度的恢復(fù)，蘋果iPhone 4和摩托羅拉Droid等手機的熱賣讓智能手機和3G手機出貨量不斷攀升，再加上具備WLAN功能的平板電腦等設(shè)備的流行和WiMAX的起步，砷化鎵功率放大器（GaAs PA）產(chǎn)業(yè)在經(jīng)濟(jì)危機過后迎來了強勢反彈的機會。據(jù)相關(guān)市場調(diào)研數(shù)據(jù)顯示，全球GaAs市場將由2008年的39億美元增長到2011年的50億美元。
2010-07-28
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ANADIGICS面向日益發(fā)展的3G移動設(shè)備市場推出新系列功率放大器
ANADIGICS, Inc.今日發(fā)布了新型HELP4TM WCDMA單頻功率放大器（PA）――AWT66xx系列，該系列放大器是為業(yè)界最通用的基于WCDMA（寬帶碼分多址）的3G移動設(shè)備設(shè)計的。
2010-07-21
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飛思卡爾面向TD-SCDMA 推出兩款LDMOS射頻功率晶體管
飛思卡爾半導(dǎo)體公司今天推出兩款LDMOS射頻功率晶體管。在中國，時分同步碼分多址存取（TD-SCDMA）無線網(wǎng)絡(luò)被廣泛應(yīng)用，而這些射頻功率晶體管已經(jīng)專為服務(wù)于上述網(wǎng)絡(luò)的基站中所使用的功率放大器進(jìn)行了優(yōu)化。 這些先進(jìn)的器件是專為TD-SCDMA 設(shè)計的飛思卡爾LDMOS 功率晶體管系列中的最新產(chǎn)品，而TD-SCDMA在業(yè)界被廣泛部署。
2010-05-10
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D類音頻功率放大器的熱耗散分析
D類放大器的散熱片可以根據(jù)輸出功率的半峰值安全地設(shè)計尺寸。但是，設(shè)計師們?nèi)员仨毚_定準(zhǔn)確的散熱片的尺寸，成本和應(yīng)用。放大器的PCB設(shè)計也可以用于減小散熱量。采用大規(guī)模集成電路的銅墊以及連接IC的所有最寬的PC走線可以最大限度的降低功耗。本文詳細(xì)介紹D類音頻功率放大器的熱耗散分析
2010-05-05
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電子管OTL功放原理及電路
電子管OTL功率放大器的音質(zhì)清澄透明，保真度高，頻率響應(yīng)寬闊，高頻段與低頻段的頻率延伸范圍一般可達(dá)10HZ～100kHz，而且其相位失真、非線性失真、瞬態(tài)響應(yīng)等技術(shù)性能均有明顯提高。本文為你講述電子管OTL功放原理及電路
2010-04-28
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三電平H橋輸出D類放大器
音頻功率放大器無所不在，有音樂響起的地方就會有音頻放大器的身影，一代代的電子工程師在這個領(lǐng)域辛勤耕耘撒播智慧。音頻放大器是要以一定的音量和功率在揚聲器或耳機上真實、高效的重現(xiàn)聲音信號。本文為你介紹廣泛適用消費電子的三電平H橋輸出D類放大器
2010-04-26
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DC-DC電源驅(qū)動PA提高WCDMA手機發(fā)送效率
MAX1820開關(guān)模式電源經(jīng)過優(yōu)化，能夠提高W-CDMA手機的發(fā)送效率。通過極大地降低功率放大器(PA)的VCC，大大減小了最大發(fā)送功率以下各個功率對應(yīng)的電池電流。針對該應(yīng)用，對MAX1820的設(shè)計進(jìn)行了單獨的優(yōu)化。
2009-10-22
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便攜產(chǎn)品中的EMI、ESD器件整合應(yīng)用新趨勢
便攜設(shè)備面臨著諸多潛在的電磁干擾(EMI)/射頻干擾(RFI)源的風(fēng)險，如開關(guān)負(fù)載、電源電壓波動、短路、電感開關(guān)、雷電、開關(guān)電源、RF放大器和功率放大器、帶狀線纜與視頻顯示屏的互連及時鐘信號的高頻噪聲等。因此，設(shè)計人員需要針對音頻插孔/耳機、USB端口、揚聲器、鍵盤、麥克風(fēng)、相機、顯示屏互連等多個位置，為便攜設(shè)備選擇適合的EMI/RFI濾波方案。
2009-08-05
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富士通開發(fā)出適用于功率放大器的CMOS邏輯高壓晶體管
富士通微電子(上海)有限公司近日宣布，富士通實驗室和富士通株式會社聯(lián)合開發(fā)出一款具有高擊穿電壓并基于邏輯制程的CMOS高壓晶體管，該晶體管適用于無線設(shè)備的功率放大器。作為先進(jìn)科技的先驅(qū)，富士通開發(fā)完成了世界上第一代基于45納米工藝的CMOS晶體管，能夠處理10V功率輸出，這使得晶體管能夠處理用于WiMAX和其它高頻應(yīng)用的功率放大器的高輸出要求。這一新技術(shù)能夠?qū)⒐δ芊糯笃骱虲MOS邏輯控制電路在同一塊芯片上集成，可實現(xiàn)單芯片的工作模式，從而使生產(chǎn)出高性能和低功耗的功能放大器成為可行。
2009-01-02
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大功率寬帶射頻脈沖功率放大器設(shè)計
利用MOS場效應(yīng)管(MOSFET)，采取AB類推挽式功率放大方式，采用傳輸線變壓器寬帶匹配技術(shù)，設(shè)計出一種寬頻帶高功率射頻脈沖功率放大器模塊，其輸出脈沖功率達(dá)1200W，工作頻段0.6M~10MHz。調(diào)試及實用結(jié)果表明，該放大器工作穩(wěn)定，性能可靠。
2008-10-13
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功率放大器原理 功率放大器原理圖
高頻功率放大器用于發(fā)射機的末級，作用是將高頻已調(diào)波信號進(jìn)行功率放大，以滿足發(fā)送功率的要求，然后經(jīng)過天線將其輻射到空間，保證在一定區(qū)域內(nèi)的接收機可以接收到滿意的信號電平，并且不干擾相鄰信道的通信。
1970-01-01
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