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低壓電源MOSFET設(shè)計(jì)
低抗性（RDS（ON））以減少傳導(dǎo)過(guò)程中的功率損失，從而提高能源效率。當(dāng)設(shè)備打開(kāi)時(shí)，低壓MOSFET的排水源電阻特別低，從而地減少了功率損耗。這對(duì)于效率至關(guān)重要，因?yàn)榈蚏D（ON）意味著在傳導(dǎo)過(guò)程中降低電阻損失高開(kāi)關(guān)速度，用于快速切換操作；在DC-DC轉(zhuǎn)換器和高頻切換電路等應(yīng)用中至關(guān)重要。
2025-02-14
低壓電源 MOSFET
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意法半導(dǎo)體與HighTec EDV-Systeme合作助力打造更安全的軟件定義汽車(chē)
服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球排名前列的半導(dǎo)體公司意法半導(dǎo)體 (STMicroelectronics，簡(jiǎn)稱(chēng)ST；紐約證券交易所代碼:STM) 和 HighTec EDV-Systeme公司合作開(kāi)發(fā)了一套先進(jìn)的汽車(chē)功能安全整體解決方案，以加快安全關(guān)鍵的汽車(chē)系統(tǒng)開(kāi)發(fā)，提高軟件定義汽車(chē)的安全性和經(jīng)濟(jì)性。
2025-02-14
意法半導(dǎo)體 HighTec EDV-Systeme 汽車(chē)
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第15講：高壓SiC模塊封裝技術(shù)
SiC芯片可以高溫工作，與之對(duì)應(yīng)的連接材料和封裝材料都需要相應(yīng)的變更。三菱電機(jī)高壓SiC模塊支持175℃工作結(jié)溫，其封裝技術(shù)相對(duì)傳統(tǒng)IGBT模塊封裝技術(shù)做了很大改進(jìn)，本文帶你詳細(xì)了解內(nèi)部的封裝技術(shù)。
2025-02-14
SiC模塊 封裝技術(shù)
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健康監(jiān)測(cè)的下一個(gè)突破點(diǎn)？超精確溫度傳感技術(shù)！
這些趨勢(shì)正在模糊醫(yī)療設(shè)備和消費(fèi)級(jí)設(shè)備間的界限。如今，即使是個(gè)人用戶也可以借助智能手表、活動(dòng)追蹤手環(huán)、智能戒指，甚至是耳塞等設(shè)備，來(lái)監(jiān)測(cè)血壓、心率和睡眠質(zhì)量等反映自身健康和生活方式的關(guān)鍵指標(biāo)。 與此同時(shí)，醫(yī)療機(jī)構(gòu)也在醫(yī)院和門(mén)診場(chǎng)景采用數(shù)字化醫(yī)療模式，無(wú)需醫(yī)護(hù)人員介入，即可實(shí)現(xiàn)...
2025-02-14
健康監(jiān)測(cè) 溫度傳感技術(shù)
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TekHSI：開(kāi)啟示波器數(shù)據(jù)傳輸?shù)母咚贂r(shí)代
在當(dāng)今快速發(fā)展的科技領(lǐng)域，工程師和研究人員常常面臨一個(gè)挑戰(zhàn)：如何高效地從復(fù)雜的測(cè)試設(shè)備中提取和分析數(shù)據(jù)。對(duì)于使用示波器的用戶來(lái)說(shuō)，這一問(wèn)題尤為突出。傳統(tǒng)方法如SCPI（標(biāo)準(zhǔn)編程接口）雖然功能強(qiáng)大，但在數(shù)據(jù)傳輸速度上往往難以滿足現(xiàn)代高速信號(hào)分析的需求。然而，隨著泰克公司推出TekHSI（...
2025-02-14
TekHSI 示波器 數(shù)據(jù)傳輸
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電感器：默默無(wú)聞的電磁魔術(shù)師
在電子元器件的世界里，電阻和電容常常是聚光燈下的主角，而電感器則像一位幕后英雄，默默發(fā)揮著不可或缺的作用。這個(gè)看似簡(jiǎn)單的線圈，卻蘊(yùn)藏著電磁世界的奧秘，在電路中扮演著能量?jī)?chǔ)存、信號(hào)濾波、電磁轉(zhuǎn)換等重要角色。
2025-02-14
電感器 電磁
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利用設(shè)計(jì)工具提高位置傳感器系統(tǒng)精度
電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng) (EMDS) 高度依賴(lài)位置編碼器來(lái)提升效率，并滿足日益嚴(yán)苛的法規(guī)要求。如圖 1 所示，位置編碼器將感知到的速度和位置信息反饋給控制器，從而實(shí)現(xiàn)高精度電機(jī)控制和同步。位置編碼器種類(lèi)繁多，包括機(jī)械式、光學(xué)式、磁式或電感式。
2025-02-13
位置傳感器
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