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SiC MOSFET的橋式結構
在探討“SiC MOSFET：橋式結構中Gate-Source電壓的動作”時，本文先對SiC MOSFET的橋式結構和工作進行介紹，這也是這個主題的前提。
2022-01-17
SiC MOSFET 橋式結構
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聚酰亞胺薄膜應用于數字隔離器
與傳統的光耦合器相比，數字隔離器在高速、低功耗、高可靠性、小尺寸、高集成度和易用性方面更具優勢。數以十億計的使用微變壓器的數字隔離器已廣泛用于許多市場，包括汽車、工業自動化、醫療和能源。這些數字隔離器之所以具有高壓性能，主要原因在于：在堆棧式繞組變壓器的頂部螺旋繞組和底部螺旋...
2022-01-17
聚酰亞胺薄膜 數字隔離器
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ADI公司陳寶興博士當選IEEE會士
中國，北京—ADI公司技術院士(Fellow)陳寶興博士憑借其在集成信號-功率隔離和集成磁性元件領域的突破性貢獻，當選為2022年度IEEE會士(IEEE Fellow)。IEEE會士是最高等級的IEEE會員，業界將其視為一項榮譽稱號，被認為是職業生涯中的重要成就。每一年的當選總人數不得超過總參與投票人數的千分之一。
2022-01-14
ADI 陳寶興博士 IEEE
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使用集成雙向電流檢測放大器實現有效的電流監控
越來越多的應用需要快速準確地進行電流監控，包括自動駕駛汽車、工廠自動化和機器人技術、通信、服務器電源管理、D 類音頻放大器和醫療系統。在許多這樣的應用中，都要求進行雙向電流檢測，而且需要以很小的成本有效地實現這一a目的。
2022-01-14
雙向電流檢測放大器 電流監控
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如何實現高轉矩伺服電機的應用設計
有時用市場上現成的高轉矩伺服電機比建造更方便。設計這種伺服電機用于無線電控制應用，如為了得到中心位置希望脈沖為1.5ms寬。除去已有電路并用一個簡單的線性電壓控制替代是可能的；然而，選擇“不破壞它”而用一個外部脈沖產生器替代。此結果是比預期的更錯綜復雜。
2022-01-10
高轉矩伺服電機
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高深寬比刻蝕和納米級圖形化推進存儲器的路線圖
隨著市場需求推動存儲器技術向更高密度、更優性能、新材料、3D堆棧、高深寬比 (HAR) 刻蝕和極紫外 (EUV) 光刻發展，泛林集團正在探索未來三到五年生產可能面臨的挑戰，以經濟的成本為晶圓廠提供解決方案。
2022-01-10
高深寬比刻蝕 納米級圖形 存儲器
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Digi-Key 與 CalcuQuote 合作，提供報價 API 集成支持，為客戶提供一種更簡便的途徑來實現 30 天定價保證
全球供應品類極豐富、發貨極快速的現貨電子元器件分銷商Digi-Key Electronics與 CalcuQuote 達成合作，實現了Digi-Key 報價 API與該公司技術的集成，為客戶提供了一個更簡便的入口，以很少的開發投入來連接 Digi-Key 領先的 API。
2022-01-07
Digi-Key CalcuQuote API 集成
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二極管在跌落測試后發生短路，故障原因是？
電源中一顆特定的二極管在經過裝置的機械跌落測試(drop test)后發生了短路故障，這種情況一而再地反復發生...機械沖擊似乎是引發故障的原因...
2022-01-07
二極管 跌落測試
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使用雙柵極配置的 SiC FET 進行電路保護
近年來，人們對固態斷路器和固態功率控制器的興趣越來越濃厚。鑒于SiC JFET在高額定電壓下具有低開態電阻而且它在需要時進行限流的能力毫不遜色，它們一直被視為此應用的理想器件。我們調查了常關型SiC FET在雙柵極結構中的使用情況，以簡化大電流直流斷路器和交流斷路器的開發。
2022-01-07
雙柵極配置 SiC FET 電路保護 固態斷路器
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