-
一種新型實(shí)用的IGBT 驅(qū)動(dòng)電路
在分析了IGBT 驅(qū)動(dòng)條件的基礎(chǔ)上介紹了幾種常見的 IGBT 驅(qū)動(dòng)電路，并給出各自的優(yōu)缺點(diǎn)。介紹自行設(shè)計(jì)的一種簡(jiǎn)單、實(shí)用的新型IGBT 驅(qū)動(dòng)電路。經(jīng)實(shí)踐表明，該電路經(jīng)濟(jì)、實(shí)用、安全、可靠，同時(shí)具有IGBT 過電流保護(hù)功能，具有很好的應(yīng)用前景。
2008-11-02
IGBT 驅(qū)動(dòng) 過電流保護(hù)
-
為振動(dòng)馬達(dá)應(yīng)用設(shè)計(jì)驅(qū)動(dòng)電路
振動(dòng)馬達(dá)有著越來越廣的應(yīng)用范圍，尤其是手機(jī)市場(chǎng)推動(dòng)著微型振動(dòng)馬達(dá)設(shè)計(jì)與制造技術(shù)方面的創(chuàng)新，使得振動(dòng)馬達(dá)向微型化以及超薄化發(fā)展。本文簡(jiǎn)單介紹了振動(dòng)馬達(dá)的基本分類及構(gòu)造，并以A1442為例介紹了振動(dòng)馬達(dá)的驅(qū)動(dòng)電路。
2008-11-02
A1442 RFI 數(shù)字換向 軟開關(guān)
-
使用柵極電阻控制IGBT的開關(guān)
柵極電阻會(huì)影響IGBT的開關(guān)時(shí)間、開關(guān)損耗及各種其他參數(shù)，必須根據(jù)具體應(yīng)用的參數(shù)非常仔細(xì)地選擇和優(yōu)化。一般情況下，減小柵極電阻阻值可降低IGBT的開關(guān)損耗，但同時(shí)也必須注意快速的導(dǎo)通關(guān)斷所帶來的電壓尖峰和電磁干擾。
2008-11-02
柵極電阻 IGBT MOSFET 柵極峰值電流
-
如何根據(jù)需要恰當(dāng)選擇電機(jī)
深入了解各種電機(jī)的特點(diǎn)有助于工程師對(duì)所需的應(yīng)用選擇適當(dāng)?shù)碾姍C(jī)。本文簡(jiǎn)單介紹永磁有刷換向直流電機(jī)、無刷直流電機(jī)與混合式步進(jìn)電機(jī)的工作原理，并從若干方面對(duì)這幾種電機(jī)的特點(diǎn)進(jìn)行詳細(xì)的分析比較，以助于工程師選擇參考。
2008-11-02
永磁有刷換向直流電機(jī) 無刷直流電機(jī) 混合式步進(jìn)電機(jī)
-
電動(dòng)助力轉(zhuǎn)向系統(tǒng)(EPS)電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)
電動(dòng)助力轉(zhuǎn)向系統(tǒng)（EPS）由電動(dòng)機(jī)直接提供轉(zhuǎn)向助力，只需通過改變控制器軟件的設(shè)計(jì)，即可方便地調(diào)節(jié)汽車系統(tǒng)的助力特性。本文介紹了利用MC9S12系列單片機(jī)為微控制器的EPS控制系統(tǒng)電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)，經(jīng)試驗(yàn)該系統(tǒng)性能良好，可基本滿足電動(dòng)助力系統(tǒng)轉(zhuǎn)向系統(tǒng)的需要。
2008-11-02
MOSFET EPS MC9S12 NE555
-
步進(jìn)電機(jī)H橋驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)
本文設(shè)計(jì)的步進(jìn)電機(jī)H橋驅(qū)動(dòng)電路，使加到電機(jī)繞組上的電流信號(hào)前后沿較陡，降低了開關(guān)損耗，改善了電機(jī)的高頻特性，同時(shí)具有多種保護(hù)功能．實(shí)驗(yàn)證明，該驅(qū)動(dòng)電路簡(jiǎn)單、可靠并具有優(yōu)良的驅(qū)動(dòng)性能。
2008-11-02
H橋 功率驅(qū)動(dòng) MOSFET U14 1N4744
-
MOSFET及MOSFET驅(qū)動(dòng)電路總結(jié)
常用MOSFET管主要有增強(qiáng)型的N溝道MOS管和增強(qiáng)型的P溝道MOS管，兩者在導(dǎo)通的時(shí)候都會(huì)有導(dǎo)通損耗和開關(guān)損失出現(xiàn)，要想辦法降低這兩種損失。在MOS管的驅(qū)動(dòng)問題方面，除了要考慮導(dǎo)通電壓的問題，速度也是一個(gè)考察的方面。
2008-11-02
MOSFET NMOS PMOS 導(dǎo)通損耗 開關(guān)損失
-
IPM驅(qū)動(dòng)和保護(hù)電路的研究
智能功率模塊(IPM)是集GTR及MOSFET兩者優(yōu)點(diǎn)于一身的功率開關(guān)器件，，內(nèi)置的驅(qū)動(dòng)和保護(hù)電路縮短了系統(tǒng)開發(fā)時(shí)間，也提高了故障下的自保護(hù)能力。本文簡(jiǎn)單介紹了IPM的基本工作特性和常用IPM驅(qū)動(dòng)和保護(hù)電路的設(shè)計(jì)方法，并給出了設(shè)計(jì)實(shí)例。
2008-11-02
IPM IGBT MOSFET PM100DSA120 PIC
-
IGBT驅(qū)動(dòng)與保護(hù)技術(shù)在直流調(diào)速系統(tǒng)中的應(yīng)用
本文將大功率開關(guān)器件IGBT應(yīng)用在功率變換電路及直流調(diào)速系統(tǒng)中。闡述了IGBT 驅(qū)動(dòng)器的基本要求，同時(shí)介紹了EXB841 芯片內(nèi)部結(jié)構(gòu)，并分析了系統(tǒng)的工作原理。
2008-11-02
IGBT AT89C51 EXB841 轉(zhuǎn)速測(cè)量
- IOTE 2025深圳物聯(lián)網(wǎng)展：七大科技領(lǐng)域融合，重塑AIoT產(chǎn)業(yè)生態(tài)
- 全局快門CMOS傳感器選型指南：從分辨率到HDR的終極考量
- DigiKey B站頻道火出圈：粉絲破10萬大關(guān)，好禮送不停
- ADAS減負(fù)神器：TDK推出全球首款PoC專用一體式電感器
- 國產(chǎn)5G模組里程碑，移遠(yuǎn)通信AI模組SG530C-CN實(shí)現(xiàn)8TOPS算力+全鏈自主化
- 專為高頻苛刻環(huán)境設(shè)計(jì)！Vishay新款CHA系列0402車規(guī)薄膜電阻量產(chǎn)上市
- 散熱效率翻倍！Coherent金剛石-碳化硅復(fù)合材料讓芯片能耗砍半
- 超級(jí)電容技術(shù)全景解析：從物理原理到選型實(shí)踐，解鎖高功率儲(chǔ)能新紀(jì)元
- MHz級(jí)電流測(cè)量突破：分流電阻電感補(bǔ)償技術(shù)解密
- 告別電壓應(yīng)力難題：有源鉗位助力PSFB效率突破
- DigiKey B站頻道火出圈：粉絲破10萬大關(guān)，好禮送不停
- 全局快門CMOS傳感器選型指南：從分辨率到HDR的終極考量
- 車規(guī)與基于V2X的車輛協(xié)同主動(dòng)避撞技術(shù)展望
- 數(shù)字隔離助力新能源汽車安全隔離的新挑戰(zhàn)
- 汽車模塊拋負(fù)載的解決方案
- 車用連接器的安全創(chuàng)新應(yīng)用
- Melexis Actuators Business Unit
- Position / Current Sensors - Triaxis Hall
